公开(公告)号：WO2007074152A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：PCT/EP2006/070209

申请日：2006-12-26

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  NOE, Pierre

Inventor： NOE, Pierre

IPC: H01L21/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/0054

Abstract: Il s'agit d'un procédé de réalisation d'une jonction PN électroluminescente consistant en un collage moléculaire d'une face (1) en matériau semi-conducteur cristallin dopé d'un premier type d'un premier élément (10) avec une face (2) en matériau semi-conducteur cristallin dopé d'un second type opposé au premier type d'un second élément (2). Le matériau semi-conducteur présente une bande interdite indirecte. On décale en rotation d'un angle prédéterminé les réseaux cristallins présentés par les dites faces, de manière à au moins provoquer la formation d'un réseau de dislocations (4) de type vis à l'interface (3) de collage.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造电致发光pn结的方法，该电致发光pn结由掺杂有第一类型的第一元件（10）的结晶半导体材料的面（1）和掺杂有晶体半导体材料的面（2） 第二类型的第二元件（2），与第一类型相反。 半导体材料具有间接带隙。 由所述面呈现的晶格被旋转偏移预定角度，使得至少在接合界面（3）处形成螺旋位错阵列（4）。

公开(公告)号：WO2006097591A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：PCT/FR2006/000414

申请日：2006-02-23

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  NOE, Pierre ,  MAZEN, Frédéric

Inventor： NOE, Pierre ,  MAZEN, Frédéric

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02573 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/932

Abstract: Une diode électroluminescente à jonction PN nanostructurée est réalisée à partir d'un substrat (1 ) semi-conducteur dopé par un premier dopant et recouvert d'une couche mince diélectrique (2). Un film mince amorphe constitué par un matériau semi-conducteur dopé par un second dopant d'un type opposé à celui du premier dopant, est ensuite déposé, à la surface de la couche mince diélectrique (2). Puis, l'ensemble subit un traitement thermique destiné à former, dans la couche mince diélectrique (2), à partir du film mince amorphe, une pluralité d'îlots (5) de dimension nanométrique et en matériau semi-conducteur dopé par le second dopant. Les îlots (5) sont destinés à être en épitaxie avec le substrat (1 ) pour former une pluralité de jonctions PN de dimension nanométrique. Une couche mince supplémentaire (6) est, ensuite, formée, par croissance par épitaxie à partir des îlots (5).

Abstract translation: 本发明涉及一种包含纳米结构PN结的发光二极管，其由半导体衬底（1）制成，半导体衬底（1）掺杂有第一掺杂剂并被薄介电层（2）覆盖。 接着，在薄介电层（2）的表面上沉积包含掺杂有与第一掺杂剂相反的第二掺杂剂的半导体材料的非晶薄膜。 然后对该组件进行热处理，以便形成由半导体材料制成的多个纳米岛（5），所述半导体材料在薄介电层（2）中从非晶薄膜中掺杂有第二掺杂剂 。 上述岛（5）旨在与衬底（1）外延，以便形成多个纳米PN结。 随后通过来自所述岛（5）的外延生长形成附加的薄膜（6）。

公开(公告)号：WO2020104624A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：PCT/EP2019/082156

申请日：2019-11-21

Applicant: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： EL SABAHY, Julien ,  VOIRON, Frédéric ,  HAUMESSER, Paul-Henri ,  NOE, Pierre ,  PARAT, Guy

IPC: B82Y10/00 ,  H01G4/30 ,  H01L29/92 ,  H01L29/06 ,  H01L49/02

Abstract: A nanowire structure enhanced for the deposition of a stack such as an electrode-insulator-electrode structure therein is proposed. The structure comprises a conductive layer (1308); conductive wires (1316) having first ends that contact the conductive layer and second ends that protrude from the conductive layer; and a lateral bridge layer (1318) that connects laterally a number of the conductive wires to provide a substantially uniform spacing between the conductive wires. After that an insulator-electrode stack (1802, 1804) is deposited onto the structure (see Fig. 18).

公开(公告)号：WO2006043010A1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：PCT/FR2005/050879

申请日：2005-10-20

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  NOE, Pierre ,  PICARD, Emmanuel

Inventor： NOE, Pierre ,  PICARD, Emmanuel

IPC: F17C13/00 ,  F17C3/08

CPC classification number: F17C3/085 ,  F17C13/006 ,  F17C2201/0147 ,  F17C2201/058 ,  F17C2203/0391 ,  F17C2203/0697 ,  F17C2221/017 ,  F17C2227/036 ,  F17C2227/0376 ,  F17C2270/05 ,  G01N1/42

Abstract: L'invention se rapporte à un cryostat (1) pour l'étude d'échantillons sous vide, le cryostat comportant un doigt froid (2) pourvu d'une partie doigt 5 ainsi que d'une partie embase (10) solidaire de la partie doigt, le cryostat comprenant aussi un support d'échantillon (32) monté sur une extrémité libre de refroidissement de la partie doigt, cette partie doigt étant placée dans une enceinte sous vide (4). 10 L'enceinte sous vide est partiellement délimitée par une pièce creuse (6) réalisée d'un seul tenant et définissant une cavité ouverte (46) à ouverture unique (44) traversée par la partie doigt, le support d'échantillon se trouvant à l'intérieur de cette cavité 15 ouverte (46). L'enceinte est également délimitée par un corps de cryostat (8) dont une surface extérieure cylindrique de section circulaire (36) coopère avec un dispositif de mise en rotation (62).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在真空中研究样品的低温恒温器（1）。 该低温恒温器包括设有手指部分（5）的冷手指（2）以及连接到手指部分的手指基部（10）。 所述低温恒温器还包括安装在所述手指部分的端部处的冷却的样品载体（32），所述手指部分被放置在真空外壳（4）中。 这个真空外壳由一个中空部分（6）部分地限定，该中空部分（6）由一个单件组成并且限定一个具有单个开口（44）的开口空腔（44），手指部分通过该开口。 样品载体位于该开放空腔（46）的内部。 外壳也由低温恒温器本体（8）限定，低温恒温器本体（8）的圆柱形外表面（36）具有圆形截面，与用于转动的装置（62）相互作用。

公开(公告)号：EP1859478A1

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：EP06709371.6

申请日：2006-02-23

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： NOE, Pierre ,  MAZEN, Frédéric

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02573 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/932

Abstract: The invention relates to a light-emitting diode comprising a nanostructured PN junction, which is made from a semi-conductor substrate (1) which is doped with a first dopant and which is covered with a thin dielectric layer (2). Subsequently, an amorphous thin film comprising a semi-conductor material that has been doped with a second dopant of the opposite type to the first is deposited on the surface of the thin dielectric layer (2). The assembly is then subjected to heat treatment in order to form a plurality of nanometric islands (5) that are made from a semi-conductor material that has been doped with the second dopant in the thin dielectric layer (2) from the amorphous thin film. The aforementioned islands (5) are intended to be epitaxial with the substrate (1) in order to form a plurality of nanometric PN junctions. An additional thin film (6) is subsequently formed by means of epitaxial growth from said islands (5).

Abstract translation: 纳米结构的pn结发光二极管由由第一掺杂剂掺杂并被电介质薄层覆盖的半导体衬底制造。 然后将由与第一掺杂剂相反类型的第二掺杂剂掺杂的半导体材料形成的非晶薄膜沉积在电介质薄层的表面上。 然后，该组件进行热处理，设计成在电介质薄层和非晶薄膜中形成多个纳米尺寸的点并由第二掺杂剂掺杂的半导电材料制成。 这些点设计成与衬底处于外延关系，以形成多个纳米尺寸的pn结。 然后通过从点外延生长形成另外的薄层。

公开(公告)号：EP1966818A1

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：EP06841620.5

申请日：2006-12-26

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： NOE, Pierre

IPC: H01L21/18 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/0054

Abstract: The invention relates to a process for producing an electroluminescent p-n junction consisting of molecular bonding between a face (1) of crystalline semiconductor material doped with a first element (10) of first type and a face (2) made of crystalline semiconductor material doped with a second element (2) of second type, opposite to the first type. The semiconductor material has an indirect bandgap. The crystal lattices presented by said faces are rotationally offset by a predetermined angle so as at least to form an array of screw dislocations (4) at the bonding interface (3).

公开(公告)号：EP1802911A1

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：EP05815659.7

申请日：2005-10-20

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： NOE, Pierre ,  PICARD, Emmanuel

IPC: F17C13/00 ,  F17C3/08

CPC classification number: F17C3/085 ,  F17C13/006 ,  F17C2201/0147 ,  F17C2201/058 ,  F17C2203/0391 ,  F17C2203/0697 ,  F17C2221/017 ,  F17C2227/036 ,  F17C2227/0376 ,  F17C2270/05 ,  G01N1/42

Abstract: The invention relates to a cryostat (1) for studying samples in a vacuum. This cryostat comprises a cold finger (2) provided with a finger part (5) as well as with a finger base (10) connected to the finger part. The cryostat also comprises a sample carrier (32) mounted at an end of the finger part that is free from cooling, this finger part being placed in a vacuum enclosure (4). This vacuum enclosure is partially delimited by a hollow part (6) consisting of a single piece and defining an open cavity (46) with a single opening (44) through which the finger part passes. The sample carrier is located inside this open cavity (46). The enclosure is also delimited by a cryostat body (8) whose cylindrical outer surface (36) with a circular cross-section interacts with a device (62) for rotating.