公开(公告)号：FR2922361A1

公开(公告)日：2009-04-17

申请号：FR0707188

申请日：2007-10-12

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BATAIL ESTELLE ,  MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS ,  CLAVELIER LAURENT

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762

Abstract: Un dispositif à effet de champ comportant un canal en germanium sur isolant est réalisé à partir d'une couche (5) en silicium initialement séparée d'un substrat (1) par au moins une couche (8) en matériau diélectrique. La couche (5) en silicium est bordée par des espaceurs en matériau diélectrique. Une couche monocristalline (10) en alliage de silicium-germanium est formée sur la couche (5) en silicium. Cette dernière étant ensuite enrichie en germanium pour former une couche (13) monocristalline en germanium. L'enrichissement, réalisé au moyen d'une oxydation thermique, laisse sur la couche (13) en germanium une couche (12) à base d'oxyde de silicium. Une couche d'encapsulation (14) en matériau diélectrique est ensuite déposée pour encapsuler le dispositif. La face supérieure de la couche (12) à base d'oxyde de silicium est alors libérée, de manière autoalignée, pour permettre son élimination et ainsi libérer la couche (13) monocristalline en germanium, servant de base à la formation du dispositif à effet de champ.