公开(公告)号：FR2994331A1

公开(公告)日：2014-02-07

申请号：FR1257406

申请日：2012-07-31

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GOUBAULT DE BRUGIERE BAPTISTE ,  BEDOIN ALEXIS

IPC: H01L21/50

Abstract: L'invention concerne un procédé d'assemblage de type flip-chip, de deux composants microélectroniques (1,2) l'un à l'autre. Selon l'invention, on prévoit soit de dimensionner des cales (24) en sus des protubérances d'interconnexion (22) soit de sur-dimensionner ces dernières de sorte que leur déformation revienne élastique une fois le contact d'assemblage entre composants (1, 2) atteint, après avoir été plastique lors de l'insertion par des inserts (12) de connexion. Grâce à l'invention, on peut maîtriser très finement l'espacement entre les deux composants lors de leur assemblage et ceci sans ajouter d'étape supplémentaire à leur fabrication ni au process d'assemblage.

公开(公告)号：FR3030903B1

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：FR1462719

申请日：2014-12-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： EL BOUAYADI OSSAMA ,  GOUBAULT DE BRUGIERE BAPTISTE ,  LAMY YANN

IPC: H01Q1/36 ,  H01Q15/14

公开(公告)号：FR3030903A1

公开(公告)日：2016-06-24

申请号：FR1462719

申请日：2014-12-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： EL BOUAYADI OSSAMA ,  GOUBAULT DE BRUGIERE BAPTISTE ,  LAMY YANN

IPC: H01Q1/36 ,  H01Q15/14

Abstract: La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif de communication radio fréquence qui comporte un système antennaire doté d'un empilement de couches et d'au moins une antenne (2) à la surface de l'empilement, le procédé comprenant une étape de formation, au-dessus de la surface supérieure d'un système antennaire, d'un dispositif de modification du rayonnement du système antennaire, caractérisé en ce que l'étape de formation comporte le dépôt successif, au-dessus du système antennaire, d'une pluralité de couches diélectriques.

公开(公告)号：FR3030110A1

公开(公告)日：2016-06-17

申请号：FR1462195

申请日：2014-12-10

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GOUBAULT DE BRUGIERE BAPTISTE

IPC: H01L21/56 ,  B33Y80/00

Abstract: La présente invention concerne un procédé d'enrobage d'un composant électronique comportant un substrat (41) sur une face avant (43) duquel fait saillie au moins un organe d'interconnexion (42), le procédé comportant un recouvrement réalisé avec un revêtement d'enrobage au niveau d'une surface de la face avant (42) en dehors du au moins un organe d'interconnexion (42), caractérisé en ce que le recouvrement comporte la formation d'au moins un empilement (6) d'une pluralité de couches sur une zone de ladite surface.

公开(公告)号：FR2994331B1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：FR1257406

申请日：2012-07-31

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GOUBAULT DE BRUGIERE BAPTISTE ,  BEDOIN ALEXIS

IPC: H01L21/50

公开(公告)号：FR3030110B1

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：FR1462195

申请日：2014-12-10

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GOUBAULT DE BRUGIERE BAPTISTE

IPC: H01L21/56 ,  B33Y80/00