公开(公告)号：CN105474006A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480031221.3

申请日：2014-05-26

Applicant: CSIR公司

Inventor： B·W·穆瓦凯昆伽

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4141 ,  G01N27/4146

Abstract: 一种场效应晶体管，包括源，源包括之间具有空隙的多个电极突起。漏包括多个电极突起，所述漏的每个电极突起位于源的电极突起之间的一个空隙中，由此形成交替的漏和源突起的源-漏电极连接区域。栅与源-漏电极区域间隔开，由此在栅和源-漏电极连接区域之间形成沟道，其中栅与所述沟道平行。多个纳米结构位于源-漏电极区域中，由此在源-漏电极连接区域中的漏和源的电极突起之间形成电连接。本发明还包括气体检测器，气体检测器包括位于衬底上的如上所述的多个场效应晶体管。

公开(公告)号：CN105474006B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201480031221.3

申请日：2014-05-26

Applicant: CSIR公司

Inventor： B·W·穆瓦凯昆伽

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4141 ,  G01N27/4146

Abstract: 一种场效应晶体管，包括源，源包括之间具有空隙的多个电极突起。漏包括多个电极突起，所述漏的每个电极突起位于源的电极突起之间的一个空隙中，由此形成交替的漏和源突起的源‑漏电极连接区域。栅与源‑漏电极区域间隔开，由此在栅和源‑漏电极连接区域之间形成沟道，其中栅与所述沟道平行。多个纳米结构位于源‑漏电极区域中，由此在源‑漏电极连接区域中的漏和源的电极突起之间形成电连接。本发明还包括气体检测器，气体检测器包括位于衬底上的如上所述的多个场效应晶体管。