-
公开(公告)号：KR20200136975A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：KR20207030950
申请日：2019-03-27
Applicant: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO LTD
Inventor： FANG DONG , BIAN ZHENG
IPC: H01L29/66 , H01L29/423
Abstract: 본발명은트렌치분리게이트디바이스의제조방법에관한것으로, 상기방법은반도체기판을에칭하여트렌치를형성하는단계; 트렌치내에산화물을증착하여플로팅게이트산화층을형성함으로써, 플로팅게이트산화층이트렌치측벽을따라위에서아래로점차두꺼워지고, 트렌치측벽하부에있는플로팅게이트산화층의두께가트렌치밑부분에있는플로팅게이트산화층의두께와동일하게하는단계; 트렌치내에다결정규소를증착하여플로팅게이트다결정층을형성하는단계; 플로팅게이트다결정층의상면에절연매체를생장시켜격리층을형성하는단계; 트렌치내의격리층상에컨트롤게이트를형성하는단계를포함한다.
Search Results
1
records
(took 0.023 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
