中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

21 records (took 0.029 seconds)

    COMPOSITION DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE, CONCENTRABLE, STABLE ET PROCEDE S'Y RATTACHANT
    3.
    发明专利
    COMPOSITION DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE, CONCENTRABLE, STABLE ET PROCEDE S'Y RATTACHANT 未知

    公开(公告)号：FR2972196A1

    公开(公告)日：2012-09-07

    申请号：FR1251978

    申请日：2012-03-05

    Applicant: ROHM & HAAS ELECT MAT ,  DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC

    Inventor： LAKROUT HAMED ,  SHI JINJIE ,  LETIZIA JOSEPH ,  LI XU ,  KALANTAR THOMAS H ,  KELLEY FRANCIS ,  HARRIS KEITH J ,  TUCKER CHRISTOPHER J

    IPC: C09G1/14 ,  B24B1/00 ,  H01L21/302

    Abstract: Une composition de polissage chimico-mécanique utile pour polissage d'une plaquette de semi -conducteurs contenant un métal d'interconnexion, est fournie, comprenant, en tant que composants initiaux : de l'eau ; un inhibiteur de type azole ; un agent tensio-actif organique de métal alcalin ; un hydrotrope ; un agent contenant du phosphore ; une cellulose hydrosoluble ; éventuellement, un polymère non saccharidique hydrosoluble ; éventuellement, un composé acide hydrosoluble de formule I, éventuellement, un agent complexant; éventuellement, un agent oxydant ; éventuellement, un solvant organique ; éventuellement, un abrasif. Par ailleurs est également fourni un procédé de préparation d'une composition de la présente invention et un procédé de polissage chimico-mécanique d'un substrat, comprenant : la fourniture d'un substrat, le substrat étant une plaquette de semi- conducteurs à interconnexions en cuivre ; la fourniture d'une composition selon la présente invention ; la fourniture d'un tampon de polissage chimico-mécanique ; la création d'un contact dynamique à une interface entre le tampon et le substrat avec application d'une force vers le bas de 0,69 à 34,5 kPa, et la répartition de la composition sur le tampon à l'interface ou près de l'interface entre le tampon et le substrat ; dans lequel la composition présente un pH ajusté de 2 à 6 par ajout d'au moins un parmi l'acide phosphorique, l'hydroxyde de magnésium et l'hydroxyde de lithium.

    Stabile, konzentrierbare chemisch-mechanische Polierzusammensetzung und damit zusammenhängendes Verfahren
    4.
    发明专利
    Stabile, konzentrierbare chemisch-mechanische Polierzusammensetzung und damit zusammenhängendes Verfahren 未知

    公开(公告)号：DE102012004220A1

    公开(公告)日：2012-09-06

    申请号：DE102012004220

    申请日：2012-03-01

    Applicant: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC ,  ROHM & HAAS ELECT MAT

    Inventor： LAKROUT HAMED ,  SHI JINJIE ,  LETIZIA JOSEPH ,  LI XU ,  KELLEY FRANCIS ,  HARRIS KEITH ,  TUCKER CHRISTOPHER ,  KALANTAR THOMAS

    IPC: C09G1/04 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

    Abstract: Es wird eine chemisch-mechanische Polierzusammensetzung bereitgestellt, die zum chemisch-mechanischen Polieren eines Halbleiterwafers, der ein Verbindungsleitungsmetall enthält, geeignet ist, umfassend als ursprüngliche Komponenten: Wasser, einen Azol-Hemmstoff, ein Alkalimetall-organisches grenzflächenaktives Mittel, ein Hydrotropikum, ein Phosphor-enthaltendes Mittel, eine wasserlösliche Cellulose, gegebenenfalls ein wasserlösliches nicht-Saccharid-Polymer, gegebenenfalls eine wasserlösliche Säureverbindung der Formel I, worin R aus Wasserstoff und einer C1-5-Alkylgruppe ausgewählt ist und worin x 1 oder 2 ist, gegebenenfalls ein Komplexierungsmittel, gegebenenfalls ein Oxidationsmittel, gegebenenfalls ein organisches Lösungsmittel und gegebenenfalls ein Schleifmittel. Es werden auch ein Verfahren zur Herstellung einer chemisch-mechanischen Polierzusammensetzung der vorliegenden Erfindung und ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats bereitgestellt, umfassend: Bereitstellen eines Substrats, wobei das Substrat ein Halbleiterwafer ist, der Kupfer-Verbindungsleitungen aufweist, Bereitstellen einer chemisch-mechanischen Polierzusammensetzung der vorliegenden Erfindung, Bereitstellen eines chemisch-mechanischen Polierkissens, Erzeugen eines dynamischen Kontakts an einer Grenzfläche zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat mit einer Andruckkraft von 0,69 bis 34,5 kPa und Aufbringen der chemisch-mechanischen Polierzusammensetzung auf das chemisch-mechanische Polierkissen an oder in der Nähe der Grenzfläche zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat, wobei die chemisch-mechanische Polierzusammensetzung einen pH-Wert aufweist, der durch Zusetzen von mindestens einem von Phosphorsäure, Magnesiumhydroxid und Lithiumhydroxid auf 2 bis 6 eingestellt worden ist.

    Verfahren zur Bildung von Polierkissen mit Schichtaufbau und offenem Netzwerk
    7.
    发明专利
    Verfahren zur Bildung von Polierkissen mit Schichtaufbau und offenem Netzwerk 未知

    公开(公告)号：DE102012018201A1

    公开(公告)日：2013-03-28

    申请号：DE102012018201

    申请日：2012-09-13

    Applicant: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC

    Inventor： LAKROUT HAMED

    IPC: B24D13/00 ,  B24B37/20 ,  B24B37/26 ,  B24D18/00

    Abstract: Das Verfahren bildet ein Polierkissen mit Schichtaufbau und offenem Netzwerk, das zum Polieren von mindestens einem von magnetischen Substraten, Halbleitersubstraten und optischen Substraten geeignet ist. Das Aussetzen einer ersten und einer zweiten Polymerlage oder -folie eines aushärtbaren Polymers gegenüber einer Energiequelle erzeugt eine Aussetzstruktur in der ersten und der zweiten Polymerlage, wobei die Aussetzstruktur längliche Abschnitte aufweist, die der Energiequelle ausgesetzt werden. Dann wird Polymer von der ersten und der zweiten Polymerlage, die der Energiequelle ausgesetzt worden sind, entfernt, so dass längliche Kanäle durch die erste und die zweite Polymerlage in einer Kanalstruktur gebildet werden, die der Aussetzstruktur entspricht. Die länglichen Kanäle erstrecken sich durch die Dicke des ersten und des zweiten Polymers. Das Verbinden der ersten und der zweiten Polymerlage bildet ein Polierkissen, wobei sich die Strukturen der ersten und der zweiten Polymerlage kreuzen, wobei die erste Polymerlage die zweite Polymerlage stützt und die länglichen Kanäle von der ersten und der zweiten Polymerlage verbunden werden, so dass das Polierkissen mit Schichtaufbau und offenem Netzwerk gebildet wird. Die erste Schicht stellt eine Basisschicht zum Anbringen an eine Polierplatte dar.

    Stabile, konzentrierbare chemisch-mechanische Polierzusammensetzung, die frei von wasserlöslicher Cellulose ist
    8.
    发明专利
    Stabile, konzentrierbare chemisch-mechanische Polierzusammensetzung, die frei von wasserlöslicher Cellulose ist 未知

    公开(公告)号：DE102012004219A1

    公开(公告)日：2012-09-06

    申请号：DE102012004219

    申请日：2012-03-01

    Applicant: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC ,  ROHM & HAAS ELECT MAT

    Inventor： LAKROUT HAMED ,  SHI JINJIE ,  LETIZIA JOSEPH ,  LI XU ,  KALANTAR THOMAS ,  KELLEY FRANCIS ,  HARRIS KEITH ,  TUCKER CHRISTOPHER

    IPC: H01L21/304 ,  C09G1/04

    Abstract: Es wird eine chemisch-mechanische Polierzusammensetzung bereitgestellt, die zum chemisch-mechanischen Polieren eines Halbleiterwafers, der ein Verbindungsleitungsmetall enthält, geeignet ist, umfassend als ursprüngliche Komponenten: Wasser, einen Azol-Hemmstoff, ein Alkalimetall-organisches grenzflächenaktives Mittel, ein Hydrotropikum, ein Phosphor-enthaltendes Mittel, gegebenenfalls ein wasserlösliches nicht-Saccharid-Polymer, gegebenenfalls eine wasserlösliche Säureverbindung der Formel I, worin R aus Wasserstoff und einer C1-5-Alkylgruppe ausgewählt ist und worin x 1 oder 2 ist, gegebenenfalls ein Komplexierungsmittel, gegebenenfalls ein Oxidationsmittel, gegebenenfalls ein organisches L Es werden auch ein Verfahren zur Herstellung einer chemisch-mechanischen Polierzusammensetzung der vorliegenden Erfindung und ein Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Substrats bereitgestellt, umfassend: Bereitstellen eines Substrats, wobei das Substrat ein Halbleiterwafer ist, der Kupfer-Verbindungsleitungen aufweist, Bereitstellen einer chemisch-mechanischen Polierzusammensetzung der vorliegenden Erfindung, Bereitstellen eines chemisch-mechanischen Polierkissens, Erzeugen eines dynamischen Kontakts an einer Grenzfläche zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat mit einer Andruckkraft von 0,69 bis 34,5 kPa und Aufbringen der chemisch-mechanischen Polierzusammensetzung auf das chemisch-mechanische Polierkissen an oder in der Nähe der Grenzfläche zwischen dem chemisch-mechanischen Polierkissen und dem Substrat, wobei die chemisch-mechanische Polierzusammensetzung einen pH-Wert aufweist, der durch Zusetzen von mindestens einem von Phosphorsäure, Magnesiumhydroxid und Lithiumhydroxid auf 2 bis 6 eingestellt worden ist.

    HALOGEN-FREE PROPYLENE-BASED INSULATION AND CONDUCTOR COATED WITH SAME
    10.
    发明专利
    HALOGEN-FREE PROPYLENE-BASED INSULATION AND CONDUCTOR COATED WITH SAME 未知

    公开(公告)号：CA2850131A1

    公开(公告)日：2013-04-04

    申请号：CA2850131

    申请日：2012-09-14

    Applicant: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC

    Inventor： LAUFER CAROLINE H ,  FU LIN ,  LIN THOMAS S ,  BISHOP MATTHEW T ,  LAKROUT HAMED

    IPC: C08L23/12 ,  H01B3/44 ,  H01B7/295

    Abstract: The present disclosure is directed to a halogen-free composition and conductors coated with the halogen-free composition. The halogen-free composition includes (A) from 70 wt % to 85 wt % of a polymeric component and (B) from 30 wt % to 15 wt % of a halogen- free flame retardant. The polymeric component (A) includes (i) a propylene homopolymer or a mini- random copolymer with greater than 40% crystallinity and (ii) an ethylene/a-olefin copolymer. The halogen-free composition has a density less than 1.15 g/cc. The halogen-free composition also has a scrape abrasion resistance of greater than or equal to 350 cycles as measured in accordance with ISO 6722.

Patent Agency Ranking