SEMICONDUCTIVE SHIELD FREE OF WELD LINES AND PROTRUSIONS

    公开(公告)号:CA3029340A1

    公开(公告)日:2018-01-04

    申请号:CA3029340

    申请日:2016-06-30

    Abstract: Semiconductive shield layers for power cable constructions are made from a composition comprising: (A) A nonpolar, ethylene-based polymer having a density of greater than (>) 0.90 g/cc and a melt index of >20 g/10 min at 190?/2.16 Kg; (B) A polar polymer consisting of ethylene and an unsaturated alkyl ester having 4 to 20 carbon atoms; (C) Acetylene carbon black; and (D) A curing agent; with the provisos that (1) the composition has a phase separated structure, and (2) the weight ratio of nonpolar polymer to polar polymer is from 0.25 to 4.

    Cabo, e, composição de lote principal

    公开(公告)号:BR112021026461A2

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:BR112021026461

    申请日:2019-07-01

    Abstract: cabo, e, composição de lote principal. a presente invenção se refere a um cabo que inclui (a) um condutor; e (b) um revestimento polimérico expandido que envolve pelo menos uma porção do condutor, em que o revestimento polimérico expandido inclui: (i) de 70,0% em peso a 99,8% em peso de homopolímero de polietileno de baixa densidade; e (ii) de 0,2% em peso a 5,0% em peso de microesferas poliméricas expandidas que têm um diâmetro médio d50 de 25 µm a 40 µm, em que o revestimento polimérico expandido tem uma densidade de 0,75 g/cm³ ou menos.

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