SHORTED DUAL ELEMENT MAGNETORESISTIVE REPRODUCE HEAD EXHIBITING HIGH DENSITY SIGNAL AMPLIFICATION
    2.
    发明申请
    SHORTED DUAL ELEMENT MAGNETORESISTIVE REPRODUCE HEAD EXHIBITING HIGH DENSITY SIGNAL AMPLIFICATION 审中-公开
    短双元素磁性复制头展示高密度信号放大

    公开(公告)号:WO1991015012A2

    公开(公告)日:1991-10-03

    申请号:PCT/US1991001753

    申请日:1991-03-18

    CPC classification number: G11B5/3954 G11B5/02 G11B5/399

    Abstract: An MR dual element head (70) of the present invention solves a shorting problem between sensing and mutually biasing MR elements of a dual element head without suffering the penalty of signal reduction due to shunting of sense current. In a preferred embodiment, two MR elements (72, 74) are neither totally insulated from each other, nor shorted along their entire lengths by a contiguous conductive spacer, but are separated by an insulating layer (76) which has shorting stubs (78, 80) at its ends for electrically shorting the MR elements. A current (82) applied to the shorted MR elements splits into two currents (88, 90) that flow in the same direction through the substantially identical MR elements to provide the bias, and to serve as sense currents for detecting element resistance change. The MR elements are biased to operate in a magnetically unsaturated mode. This results in a "bootstrapping" of short wavelength signals that effectively amplifies the reproduced signal over a broad region of the signal spectrum when the linear spacing between the MR elements is in the range of from one half to one times the linear distance between the flux changes recorded on the signal medium. In a second embodiment, MR elements (12, 14) are in contact with a conductive spacer (16) for their entire lengths.

    Abstract translation: 本发明的MR双元件头(70)解决了双元件头的感测和相互偏置MR元件之间的短路问题,而不会由于感测电流的分流而受到信号降低的惩罚。 在优选实施例中,两个MR元件(72,74)既不完全彼此绝缘,也不是通过邻接的导电间隔件沿其整个长度短路,而是由具有短路短截线(78,74)的绝缘层(76) 80)端部用于电气短路MR元件。 施加到短路MR元件的电流(82)分成两个相同方向流过基本上相同的MR元件的电流(88,90)以提供偏置,并且用作用于检测元件电阻变化的感测电流。 MR元件被偏置以在磁不饱和模式下操作。 这导致短波长信号的“自举”,当MR元件之间的线性间隔在通量之间的线性距离的一半到一倍的范围内时,在信号频谱的宽阔区域上有效地放大再现信号 记录在信号介质上的变化。 在第二实施例中,MR元件(12,14)的整个长度与导电间隔件(16)接触。

    PERMANENT MAGNET SHAPED TO PROVIDE UNIFORM BIASING OF A MAGNETORESISTIVE REPRODUCE HEAD
    3.
    发明申请
    PERMANENT MAGNET SHAPED TO PROVIDE UNIFORM BIASING OF A MAGNETORESISTIVE REPRODUCE HEAD 审中-公开
    永久磁铁形成一个磁化复制头的均匀偏移

    公开(公告)号:WO1990007773A1

    公开(公告)日:1990-07-12

    申请号:PCT/US1989005644

    申请日:1989-12-18

    CPC classification number: G11B5/3903 H01F7/02

    Abstract: The invention teaches modifying the shape of a bar magnet (30, 94) which is uniformly magnetized either in the direction of its height (42) or width (96) to increase the volume of magnetic material at each end of the magnet (30, 94). This results in increased magnetic field contribution from the magnet ends which modifies the field direction at the magnet faces so that the field lines converge rather than diverge just as they enter and leave the central portion of the magnet (30, 94). Further along the field direction, the field lines change from being convergent to again being divergent, as is the usual case for a conventional bar magnet. Because of this transition there is an extended region (56, 112) over which the field lines are effectively straight and parallel, i.e. the field is uniform. This uniformity has been attained without increasing the length of the magnet (30, 94), and a bar magnet so modified according to the teaching of the invention is suitable for the uniform biaising of MR elements (62, 64, 66) in a single track or in a multitrack head.

    THIN FILM MAGNETIC ELEMENT HAVING A RHOMBIC SHAPE
    4.
    发明申请
    THIN FILM MAGNETIC ELEMENT HAVING A RHOMBIC SHAPE 审中-公开
    薄膜磁性元件有一个RHOMBIC形状

    公开(公告)号:WO1990007179A1

    公开(公告)日:1990-06-28

    申请号:PCT/US1989005584

    申请日:1989-12-14

    CPC classification number: G11B5/398 G01R33/09 H01F10/00 Y10T428/12951

    Abstract: The present invention provides increased stabilization of the magnetization of a single domain thin magnetic film (62) over that attainable in the rectangular thin film (16) known in the prior art by shaping the magnetic film (62) as a rhomboid rather than as a rectangle. Practice of the invention teaches angling the transverse sides (68, 70) of the film with respect to the longitudinal sides (64, 66) either at an angle (63) equal to, or smaller than, the angle (72) at the bias point of the magnetization (74) with respect to the direction of the easy axis (51), as established by an external bias field (76). Under these conditions the biased magnetization (74) of the film (62), being either parallel to, or at a positive angle with respect to the transverse sides (68, 70) of the rhomboid, either generates no charges at the transverse edges (68, 70) of the film, or actually generates charges (82, 84) which produce a field parallel to the longitudinal component of the magnetization (74) which stabilizes the magnetization (74) of the single domain rather than destabilizes it.

    DEPOSITED PERMANENT MAGNET FOR HARD AND EASY AXES BIASING OF A MAGNETORESISTIVE HEAD
    5.
    发明申请
    DEPOSITED PERMANENT MAGNET FOR HARD AND EASY AXES BIASING OF A MAGNETORESISTIVE HEAD 审中-公开
    沉积永磁电磁铁,用于硬磁轴承偏心磁头

    公开(公告)号:WO1990007774A1

    公开(公告)日:1990-07-12

    申请号:PCT/US1989005833

    申请日:1989-12-26

    CPC classification number: G11B5/3903 H01F7/02

    Abstract: A ''C'' shaped thin film deposited permanent magnetic structure (30) of essentially symmetrical form is designed to provide a planar region of transverse field (37) with little or no longitudinal field component. Practice of the present invention teaches asymmetrically modifiying the ''C'' shaped magnet to restore a small controlled amount of unidirectional longitudinal field component (31). The symmetry is broken by either angling (32) the direction of magnetization (36) of the magnet (30) relative to the symmetric geometric form of the structure, or by angling (32') the direction of the magnetization (36') and also changing the geometric shape of the magnet from a ''C'' shape to an ''L'' shape. The resultant field distribution of the deposited asymmetrical magnetic structure produces a magnetic field of sufficient strength for biasing the hard axis (37) of a coplanarly deposited MR element (38) with an additional relatively smaller magnitude undirectional easy axis field for longitudinally biasing (31) it.

    Abstract translation: 被设计成具有基本上对称形状的“C”形薄膜沉积永磁结构(30),以提供具有很少或没有纵向场分量的横向场(37)的平面区域。 本发明的实践教导了不对称地修改“C”形磁体以恢复小的受控量的单向纵向场分量(31)。 通过使磁体(30)的磁化方向(36)相对于结构的对称几何形状,或者通过使磁化(36')的方向(32')和(32')的方向(32')和 也将磁体的几何形状从“C”形改变为“L”形。 沉积的非对称磁性结构的所得场分布产生足够强度的磁场,用于利用附加的相对较小的幅度方向易轴线场来偏置共面沉积的MR元件(38)的硬轴(37),用于纵向偏置(31) 它。

    SHORTED DUAL ELEMENT MAGNETORESISTIVE REPRODUCE HEAD EXHIBITING HIGH DENSITY SIGNAL AMPLIFICATION
    7.
    发明公开
    SHORTED DUAL ELEMENT MAGNETORESISTIVE REPRODUCE HEAD EXHIBITING HIGH DENSITY SIGNAL AMPLIFICATION 失效
    短接双件式高密度的信号增益SHOW SANTANDER磁阻再现头。

    公开(公告)号:EP0484474A1

    公开(公告)日:1992-05-13

    申请号:EP91907355.0

    申请日:1991-03-18

    Inventor: SMITH, Neil

    IPC: G11B5

    CPC classification number: G11B5/3954 G11B5/02 G11B5/399

    Abstract: Dans cette invention, une tête magnéto-résistive à deux éléments (70) permet de résoudre les problèmes de court-circuits existant entre les éléments magnéto-résistifs (MR) de détection et de polarisation mutuelle faisant partie d'une tête à deux éléments, sans pour autant réduire le signal en raison du shuntage du courant de détection. Dans un mode d'exécution préféré, les deux éléments magnéto-résistifs (72, 74) ne sont ni tout à fait isolés l'un par rapport à l'autre, ni tout à fait court-circuités sur toute leur longueur par un élément d'espacement conducteur et contigu, mais ils sont séparés par une couche isolante (76) possédant des bouts faisant court-circuit (78, 80) situés à ses deux extrémités, destinés à mettre en court-circuit électrique les éléments MR. Un courant (82) appliqué aux éléments MR se divise en deux courants (88, 90) qui vont dans la même direction et qui traversent les deux éléments MR pratiquement identiques pour donner la polarisation et pour servir de courants de détection permettant de détecter les variations de la résistance des éléments. Les éléments MR sont polarisés pour fonctionner en mode d'insaturation magnétique. Il en résulte un "amorçage" des signaux à ondes courtes qui amplifie efficacement le signal reproduit sur une vaste région du spectre du signal lorsque l'espacement linéaire entre les éléments MR se situe dans la fourchette allant de 0,5 à 1 fois la distance linéaire existant entre les variations de flux enregistrées sur le support du signal. Dans un second mode d'exécution, les éléments MR (12, 14) se trouvent en contact sur toute leur longueur avec un élément d'espacement conducteur (16).

    DEPOSITED PERMANENT MAGNET FOR HARD AND EASY AXES BIASING OF A MAGNETORESISTIVE HEAD
    8.
    发明公开
    DEPOSITED PERMANENT MAGNET FOR HARD AND EASY AXES BIASING OF A MAGNETORESISTIVE HEAD 失效
    薄膜用永久磁铁MR磁阻头偏磁的重型和轻型卡车。

    公开(公告)号:EP0452369A1

    公开(公告)日:1991-10-23

    申请号:EP90901491.0

    申请日:1989-12-26

    CPC classification number: G11B5/3903 H01F7/02

    Abstract: Une structure magnétique permanente déposée sous la forme d'une pellicule mince en forme de ''C'' (30) ayant une forme essentiellement symétrique est conçue pour former une région plane du champ transversal (37) avec peu ou pas de composantes de champ longitudinal. La présente invention prévoit la modification asymétrique de l'aimant en forme de ''C'' pour rétablir une petite quantité contrôlée de la composante de champ longitudinal unidirectionnel (31). La symétrie est cassée soit en donnant un angle (32) à la direction de magnétisation (136) de l'aimant (30) par rapport à la forme géométrique symétrique de la structure, soit en donnant un angle (32') à la direction de magnétisation (36') et aussi en changeant la forme géométrique de l'aimant de la forme en ''C'' en une forme en ''L''. La distribution de champ résultante de la structure magnétique asymétrique déposée produit un champ magnétique de force suffisante pour polariser l'axe difficile (37) d'un élément coplanaire déposé MR (38) avec un champ d'axe facile undirectionnel additionnel d'intensité relativement petite pour le polariser (31) longitudinalement.

    THIN FILM MAGNETIC ELEMENT HAVING A RHOMBIC SHAPE
    9.
    发明授权
    THIN FILM MAGNETIC ELEMENT HAVING A RHOMBIC SHAPE 失效
    菱形薄膜磁元。

    公开(公告)号:EP0400142B1

    公开(公告)日:1995-08-16

    申请号:EP90902073.7

    申请日:1989-12-14

    Inventor: SMITH, Neil

    CPC classification number: G11B5/398 G01R33/09 H01F10/00 Y10T428/12951

    Abstract: The present invention provides increased stabilization of the magnetization of a single domain thin magnetic film (62) over that attainable in the rectangular thin film (16) known in the prior art by shaping the magnetic film (62) as a rhomboid rather than as a rectangle. Practice of the invention teaches angling the transverse sides (68, 70) of the film with respect to the longitudinal sides (64, 66) either at an angle (63) equal to, or smaller than, the angle (72) at the bias point of the magnetization (74) with respect to the direction of the easy axis (51), as established by an external bias field (76). Under these conditions the biased magnetization (74) of the film (62), being either parallel to, or at a positive angle with respect to the transverse sides (68, 70) of the rhomboid, either generates no charges at the transverse edges (68, 70) of the film, or actually generates charges (82, 84) which produce a field parallel to the longitudinal component of the magnetization (74) which stabilizes the magnetization (74) of the single domain rather than destabilizes it.

    MINIATURE HIGH-SENSITIVITY MAGNETORESISTIVE MAGNETOMETER
    10.
    发明公开
    MINIATURE HIGH-SENSITIVITY MAGNETORESISTIVE MAGNETOMETER 失效
    微型高灵敏度磁阻磁强计。

    公开(公告)号:EP0540692A1

    公开(公告)日:1993-05-12

    申请号:EP91915860.0

    申请日:1991-07-18

    CPC classification number: G01R33/09

    Abstract: Le magnétomètre miniature décrit comprend un élément magnéto-résistif plan (14) possédant une hauteur H entre ses bords latéraux. Des premier et second collecteurs de flux stratifiés (16, 18) de hauteur H chevauchent partiellement et respectivement les bords latéraux de l'élément magnéto-résistif de façon coplanaire de sorte que les collecteurs de flux sont séparés latéralement par un espace libre G inférieur à la hauteur H de l'élément magnéto-résistif. Le capteur de champ magnétique (10) a une hauteur résultante égale à 2H+G, le rapport (2H+G)/G étant approximativement égal à 95 dans un mode de réalisation préféré de la présente invention.

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