Abstract:
An integrated-circuit including two NMOS depletion mode transistors Q1, Q2 having parameters selected so that when the transistors are connected in accordance with the invention, the circuit (10) in response to a variable input DC voltage produces a stable DC output voltage.
Abstract:
A frame transfer image sensor having a lateral overflow drain and a structure for controlling the charge transfer to the drain during charge collection to improve exposure latitude.
Abstract:
An interline transfer type area image sensor which operates in a non-interlaced mode and has an array of columns and rows of photoreceptors in which charge from each pixel is transferred into a stage of a vertical two-phase CCD shift register formed by adjacent electrodes of the CCD. Each electrode of a stage has a separate voltage clock. An ion implant barrier region is formed under an edge of each electrode.
Abstract:
An output circuit for sequentially receiving and converting charge collected in the photoelements of an image sensor and converting such charge into an output voltage. The output circuit includes a buried-channel LDD transistor having gate, source and drain electrodes. The source electrode provides a floating diffusion which collects charge. An output source-follower amplifier also employing buried-channel LDD transistors is connected to the floating diffusion and produces the output voltage.
Abstract:
Le circuit de sortie décrit permet de recevoir et convertir séquentiellement une charge collectée dans les photoéléments d'un détecteur d'images et de convertir cette charge en une tension de sortie. Le circuit de sortie comprend un transistor LDD à canaux noyés ayant des électrodes de porte, de source et de drain. L'électrode de source assure une diffusion flottante. Lorsque le transistor est mis hors tension, un puits de potentiel est établi dans la diffusion flottante qui collecte la charge. Un amplificateur suiveur de la source de sortie utilisant également des transistors LDD à canaux noyés est connecté à la diffusion flottante et produit la tension de sortie.
Abstract:
L'invention concerne un capteur d'images du type à transfert d'interlignes, qui fonctionne en mode non entrelacé et possède un réseau de colonnes et de rangées de photorécepteurs dans lesquelles la charge provenant de chaque pixel est transférée vers un étage d'un registre vertical CCD à décalage à deux phases, constitué par des électrodes adjacentes du dispositif CCD. Chaque électrode d'un étage possède une horloge de tension individuelle. Une zone barrière d'implantation ionique est prévue sous un des rebords de chaque électrode.
Abstract:
An output circuit for sequentially receiving and converting charge collected in the photoelements of an image sensor and converting such charge into an output voltage. The output circuit includes a buried-channel LDD transistor having gate, source and drain electrodes. The source electrode provides a floating diffusion which collects charge. An output source-follower amplifier also employing buried-channel LDD transistors is connected to the floating diffusion and produces the output voltage.