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公开(公告)号：DE112014006173T5
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：DE112014006173
申请日：2014-01-15
Applicant: EPCOS AG
Inventor： METZGER THOMAS , NAKANO MASAHIRO , IIJIMA ATSUSHI , KNAUER ULRICH , HONAL MATTHIAS , BINNINGER CHARLES , KAMIMURA HIROHIKO
Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektroakustisches Filter (1), umfassend eine Elektrode (2) mit einer Hauptschicht (6), die aus einem metallischen Material besteht, das eine Legierung aus Kupfer und Molybdän umfasst. Gemäß einem zweiten Aspekt betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines elektroakustischen Filters (1), umfassend die folgenden Schritte: Bereitstellen eines Substrats (3), Sputtern eines metallischen Materials, das eine Legierung aus Kupfer und Molybdän umfasst, auf das Substrat (3), Tempern des metallischen Materials und Strukturieren des metallischen Materials, um eine Hauptschicht (6) einer Elektrode (2) zu bilden.
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公开(公告)号：DE102014113052A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：DE102014113052
申请日：2014-09-10
Applicant: EPCOS AG
Inventor： SCHMIDHAMMER EDGAR , METZGER THOMAS
Abstract: Es wird ein HF-Modul angegeben, dessen Filter-Funktionalität leicht erweiterbar ist und das gute elektrische Eigenschaften aufweist. Dazu umfasst das Modul zwei Filtereinheiten mit jeweils einem HF-Filter und einem Schalter mit zwei möglichen Schaltzuständen. Die beiden Filtereinheiten sind parallel verschaltet.
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公开(公告)号：DE102004045179A1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：DE102004045179
申请日：2004-09-17
Applicant: EPCOS AG
Inventor： ORLENKO DENYS , METZGER THOMAS , SCHMIDHAMMER EDGAR , SEVSKIY GEORGIY , HEIDE PATRIC
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公开(公告)号：DE102013102206A1
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：DE102013102206
申请日：2013-03-06
Applicant: EPCOS AG
Inventor： HENN GUDRUN , METZGER THOMAS
IPC: H03H9/10
Abstract: Es wird ein zur Miniaturisierung geeignetes Bauelement mit akustisch entkoppelten funktionalen Strukturen angegeben. Das Bauelement umfasst eine erste funktionale Struktur, eine erste Dünnschicht-Abdeckung, die die erste funktionale Struktur abdeckt, und ein zweite funktionale Struktur oberhalb der Dünnschicht-Abdeckung. Die Dünnschicht-Abdeckung berührt die erste funktionale Struktur nicht.
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公开(公告)号：DE102012108035A1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：DE102012108035
申请日：2012-08-30
Applicant: EPCOS AG
Inventor： LINK ANDREAS , METZGER THOMAS , SCHMIDHAMMER EDGAR
Abstract: Es wird ein Kondensator mit verbesserten linearen Eigenschaften angegeben. Der Kondensator ist mit Herstellungsprozessen von mit BAW arbeitenden Bauelementen kompatibel. Der Kondensator umfasst eine erste und eine zweite Elektrode in einer ersten elektrisch leitenden Lage und eine dritte Elektrode in einer zweiten elektrischen Lage. Zwischen den elektrisch leitenden Lagen ist eine dielektrische Lage angeordnet. Die erste Elektrode und die zweite Elektrode sind die Anschlusselektroden des Kondensators.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102012108035B4
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：DE102012108035
申请日：2012-08-30
Applicant: EPCOS AG
Inventor： LINK ANDREAS , METZGER THOMAS , SCHMIDHAMMER EDGAR
Abstract: Kondensator, umfassend – eine erste und eine zweite elektrisch leitende Lage, – eine erste und eine zweite in der ersten Lage strukturierte Elektrode und eine dritte in der zweiten Lage strukturierte Elektrode, – eine zwischen den leitenden Lagen angeordnete dielektrische Lage, wobei – ein Teil der ersten Elektrode und ein Teil der zweiten Elektrode jeweils zumindest einen Teil der dritten Elektrode überlappen, – die erste Elektrode und die zweite Elektrode Anschlusselektroden des Kondensators sind und – die dielektrische Lage eine Spiegellage eines mit akustischen Wellen arbeitenden Bauelements ist.
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公开(公告)号：DE112012007245T5
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：DE112012007245
申请日：2012-12-21
Applicant: EPCOS AG
Inventor： MOULARD GILLES , MATLOUB RAMIN , METZGER THOMAS , MURALT PAUL
Abstract: Es werden ein BAW-Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines BAW-Bauelements angegeben. Das Bauelement umfasst eine untere Elektrode, eine obere Elektrode und ein erstes piezoelektrisches Material zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode, wobei das Material einen höheren piezoelektrischen Koeffizienten aufweist als AlN.
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8.发明专利
公开(公告)号：DE102010053273B4
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：DE102010053273
申请日：2010-12-02
Applicant: EPCOS AG
Inventor： METZGER THOMAS , BLEYL INGO DR
Abstract: Elektroakustisches Bauelement (10) mit einer piezoelektrischen Schicht (1) und mit Elektroden (2), die auf einer Seite der piezoelektrischen Schicht (1) angeordnet sind, wobei die piezoelektrische Schicht (1) eine Schicht aus einem Mischkristall ist, der aus LiNbxTa1-xO3 gebildet ist, wobei 0
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公开(公告)号：DE102004005668A1
公开(公告)日：2005-08-25
申请号：DE102004005668
申请日：2004-02-05
Applicant: EPCOS AG
Inventor： METZGER THOMAS
Abstract: A modularly constructed electrical component having a module substrate, preferably, of Si, and having one or more preferably un-housed chips placed on the module substrate while being electrically connected thereto and each joined to the module substrate, e.g., by direct wafer bonding. A recess is provided in the module substrate so that a closed hollow space is formed when the chip is joined to the module substrate. The hollow space is not formed by a protective cap, which surrounds the chip and, with the module substrate, closes it on all sides. Rather it is formed by the joining of opposing contact areas of the chip underside and of the upper side of the module substrate. The component can be economically produced because it does not require a protective cap for creating the hollow space. The component has a higher yield than monolithic integration of the functional units.
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公开(公告)号：DE10316716A1
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：DE10316716
申请日：2003-04-11
Applicant: EPCOS AG
Inventor： SCHMIDHAMMER EDGAR , DIEKMANN CHRISTIAN , METZGER THOMAS
IPC: B31D5/00 , B65B3/00 , H01L41/083 , H01L41/319 , H03H9/02 , H03H9/13 , H03H9/17 , H03H9/58 , H03H9/15 , H03H3/02 , H02N2/00
Abstract: An electrical component includes a substrate, a first electrode layer, a structured growth layer that is thinner than the first electrode layer, a piezoelectric layer, and a second electrode layer. The growth layer is on the first electrode layer, the growth layer is structured relative to the first electrode layer, and the growth layer has a smaller surface area than the first electrode layer. The growth layer may be selected to support ordered growth relative to the piezoelectric layer.
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