公开(公告)号：JP2013136842A

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：JP2013038806

申请日：2013-02-28

Applicant: Evonik Degussa Gmbh ,  エボニック デグサ ゲーエムベーハーEvonik Degussa GmbH

Inventor： LEHMANN THOMAS DR ,  STENNER PATRICK

IPC: C01B15/08 ,  C25B1/30 ,  C25B1/28 ,  C25B11/04 ,  C25B11/06 ,  C25B11/12

CPC classification number: C25B1/285

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an industrial method for producing ammonium peroxodisulfate and alkali metal peroxodisulfate which is capable of completely eliminating the use of accelerators and is implemented when an electrolysis is of low current density.SOLUTION: In the case of the method for producing the peroxodisulfate, for example, ammonium peroxodisulfate, sodium peroxodisulfate, and potassium peroxodisulfate by anodically oxidizing an electrolyte containing sulfate and/or hydrogensulfate, a diamond layer, which is arranged on a conductive carrier and is made conductive by doping using a trivalent or pentavalent element, is used as an anode, and the accelerators are not added to an anolyte.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够完全消除促进剂的使用的过氧二硫酸铵和碱金属过硫酸氢盐的工业方法，并且在电解电流密度低时实施。解决方案：在生产方法的情况下 过氧二硫酸盐，例如过二硫酸铵，过二硫酸钠和过二硫酸钾，通过阳极氧化含有硫酸盐和/或硫酸氢盐的电解质，金刚石层，其布置在导电载体上并通过使用三价或五价元素掺杂而导电 ，用作阳极，并且加速剂不加入阳极电解液。

公开(公告)号：DE102010062386A1

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：DE102010062386

申请日：2010-12-03

Applicant: EVONIK DEGUSSA GMBH

Inventor： STENNER PATRICK ,  PATZ MATTHIAS DR ,  COELLE MICHAEL DR ,  WIEBER STEPHAN DR

IPC: H01L21/322 ,  H01L31/18 ,  H05H1/26

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Konvertieren von Halbleiterschichten, insbesondere zum Konvertieren von amorphen in kristalline Siliciumschichten, in dem das Konvertieren durch Behandeln der Halbleiterschicht mit einem Plasma erfolgt, welches von einer, mit einer Plasmadüse (1) ausgestatteten Plasmaquelle erzeugt wird. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung nach dem Verfahren hergestellte Halbleiterschichten, derartige Halbleiterschichten umfassende elektronische und optoelektronische Erzeugnisse sowie eine Plasmaquelle zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.

公开(公告)号：DE102010053214A1

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：DE102010053214

申请日：2010-12-03

Applicant: EVONIK DEGUSSA GMBH ,  FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH

Inventor： STENNER PATRICK ,  WIEBER STEPHAN DR ,  COELLE MICHAEL DR ,  PATZ MATTHIAS DR ,  CARIUS REINHARD DR ,  BRONGER TORSTEN DR

IPC: H01L21/324 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H05H1/48

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Wasserstoffpassivierung von Halbleiterschichten, bei dem die Passivierung durch Einsatz einer Lichtbogenplasmaquelle erfolgt, die nach dem Verfahren hergestellten passivierten Halbleiterschichten und ihre Verwendung.

公开(公告)号：HK1154762A1

公开(公告)日：2012-05-04

申请号：HK11109162

申请日：2011-08-30

Applicant: EVONIK DEGUSSA GMBH

Inventor： TSCHERNJAEW JURI ,  KRAPFL MAYA ,  STENNER PATRICK ,  BEYER MICHAEL ,  HAEGER HARALD ,  HEINRICH DIRK ,  GOTTHEIS MARTINA

IPC: A43B20060101

公开(公告)号：DE102011006307A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：DE102011006307

申请日：2011-03-29

Applicant: EVONIK DEGUSSA GMBH

Inventor： WIEBER STEPHAN DR ,  PATZ MATTHIAS DR ,  STENNER PATRICK ,  COELLE MICHAEL DR ,  KLATT JANETTE

IPC: H01L21/208 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

Abstract: Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind Verfahren zur Herstellung von amorphen Halbleiterschichten auf einem Substrat durch Aufbringen einer Halbleiterverbindung und anschließendes Konvertieren der Halbleiterverbindung in eine amorphe Halbleiterschicht, wobei das Konvertieren durch Behandeln der Halbleiterschicht mit einem, aus einem Wasserstoff-haltigen Prozessgas erzeugten Plasma erfolgt. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung nach dem Verfahren hergestellte Halbleiterschichten, derartige Halbleiterschichten umfassende elektronische und optoelektronische Erzeugnisse.

公开(公告)号：DE102008001851A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：DE102008001851

申请日：2008-05-19

Applicant: EVONIK DEGUSSA GMBH

Inventor： MICHEL AYMEE ,  STENNER PATRICK ,  FIEDLER STEFAN ,  KERNER DIETER ,  NAGEL MANFRED

IPC: H05H1/46 ,  C01F7/56

Abstract: Process for the phase transformation of substances and mixtures of substances, in which the substance or the mixture of substances is introduced into a plasma reactor, the substance or the mixture of substances is converted into the higher-energy phase and the product is removed in gaseous form from the plasma reactor. The process can be used for the sublimation of metal salts, metal nitrates and/or metal alkoxides and other vaporizable metal-organic compounds.

公开(公告)号：DE102008000290A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：DE102008000290

申请日：2008-02-13

Applicant: EVONIK DEGUSSA GMBH

Inventor： TSCHERNJAEW JURI ,  STENNER PATRICK ,  PISULA WOJCIECH ,  DREXEL CLAUS-PETER ,  GOTTHEIS MARTINA ,  SEITZ TANJA

IPC: B01J20/28 ,  A61J3/00 ,  A61K8/11 ,  A61Q19/00 ,  C09D7/12 ,  C09J11/00

Abstract: The present invention relates to storage-stable product systems having high latency and good mechanical stability, which are suitable, inter alia, for premix formulations. Furthermore, the present invention relates to a method for producing the formulations according to the invention and the use thereof.

公开(公告)号：DE102010062383A1

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：DE102010062383

申请日：2010-12-03

Applicant: EVONIK DEGUSSA GMBH

Inventor： STENNER PATRICK ,  PATZ MATTHIAS DR ,  COELLE MICHAEL DR ,  WIEBER STEPHAN DR

IPC: H01L21/322 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/18 ,  H05H1/26

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Konvertieren von Halbleiterschichten, insbesondere zum Konvertieren von amorphen in kristalline Siliciumschichten, in dem das Konvertieren durch Behandeln der Halbleiterschicht mit einem, aus einem stickstoffhaltigen Prozessgas erzeugten Plasma erfolgt. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung nach dem Verfahren hergestellte Halbleiterschichten, derartige Halbleiterschichten umfassende elektronische und optoelektronische Erzeugnisse sowie eine Plasmaquelle zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens.

公开(公告)号：DE102010049587A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE102010049587

申请日：2010-10-26

Applicant: EVONIK DEGUSSA GMBH ,  FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH

Inventor： STENNER PATRICK ,  WIEBER STEPHAN DR ,  COELLE MICHAEL DR ,  PATZ MATTHIAS DR ,  CARIUS REINHARD DR ,  BRONGER TORSTEN DR

IPC: H01L21/306 ,  H01L31/18

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Wasserstoffpassivierung von Halbleiterschichten, wobei die zu passivierende Halbleiterschicht (1) elektrochemisch passiviert wird. Im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens kann insbesondere die zu passivierende Halbleiterschicht (1) als Kathode in eine Elektrolyseapparatur mit einer Anode (3) und einem, eine Protonenquelle enthaltenden Elektrolyten (2) eingesetzt werden und eine Elektrolysespannung an die Halbleiterschicht (1) und die Anode (3) angelegt werden. Darüber hinaus betrifft die vorliegende Erfindung durch das erfindungsgemäße Verfahren erhältliche Halbleiterschichten.

公开(公告)号：DE102010062386B4

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：DE102010062386

申请日：2010-12-03

Applicant: EVONIK DEGUSSA GMBH

Inventor： STENNER PATRICK ,  PATZ MATTHIAS DR ,  CÖLLE MICHAEL DR ,  WIEBER STEPHAN DR

IPC: H01L21/322 ,  H01L31/18 ,  H05H1/26

Abstract: Verfahren zum Konvertieren von amorphen in kristalline Halbleiterschichten, wobei das Konvertieren durch Behandeln der Halbleiterschicht mit einem Plasma und durch Temperierung bei einer Temperatur zwischen ≥ 150°C und ≤ 500°C erfolgt, wobei das Plasma von einer, mit einer Plasmadüse (1) ausgestatteten Plasmaquelle erzeugt wird.