公开(公告)号：WO2005098989A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：PCT/FR2005/000682

申请日：2005-03-21

Applicant: ECOLE POLYTECHNIQUE DGAR ,  WADE, Travis ,  WEGROWE, Jean-Eric

Inventor： WADE, Travis ,  WEGROWE, Jean-Eric

IPC: H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  C25D11/12 ,  C25D11/18 ,  C25D11/20 ,  H01L49/006 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/89 ,  Y10T29/49014 ,  Y10T29/49018 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49455 ,  Y10T29/496

Abstract: Il s'agit d'un procédé de fabrication de composants pour l'électronique dans lequel on réalise une première anodisation d'un matériau support (1) pour former au moins un premier pore (3) s'étendant, dans ce matériau support (1), dans une première direction. En outre, on réalise une deuxième anodisation pour former au moins un deuxième pore (17) s'étendant dans le matériau support (1) dans une deuxième direction différente de la première direction.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造电子部件的方法，该方法包括对载体材料（1）进行第一阳极氧化，以形成在所述载体材料（1）中沿第一方向延伸的至少一个第一孔（3） 用于在不同于第一方向的第二方向上形成在载体材料（1）中延伸的至少一个第二孔（17）的第二阳极氧化。

公开(公告)号：WO2005037710A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：PCT/FR2004/002584

申请日：2004-10-12

Applicant: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE-CNR S ,  ECOLE POLYTECHNIQUE DGAR ,  PRIBAT, Didier ,  WEGROWE, Jean-Eric ,  WADE, Travis

Inventor： PRIBAT, Didier ,  WEGROWE, Jean-Eric ,  WADE, Travis

IPC: C01B31/02

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B01J21/04 ,  B01J21/185 ,  B01J23/63 ,  B01J23/83 ,  B01J35/065 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C30B25/18 ,  C30B29/60 ,  D01F9/08 ,  D01F9/12 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/843

Abstract: Procédé de synthèse de composants électroniques incorporant des structures filamentaires nanométriques dans lequel on dépose, dans une membrane (3) nanoporeuse, d'un catalyseur (7) métallique adapté pour pénétrer dans au moins une partie des pores (8) de la membrane (3) nanoporeuse et on réalise une croissance de structures filamentaires sur le catalyseur, dans au moins une partie des pores (8) de la membrane (3) nanoporeuse. La membrane (3) nanoporeuse est préparée de manière adaptée pour que la paroi des pores (8) comporte une zone monocristalline et que l'on épitaxie au moins partiellement le catalyseur (7) sur cette zone monocristalline.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于合成电子元件的方法，其中纳入纳米尺度的细丝结构，由此将金属催化剂（7）沉积在纳米多孔膜（3）中，所述纳米多孔膜（3）可穿透至少一部分孔 在纳米多孔膜（3）的至少一部分孔（8）中的催化剂中生长纳米多孔膜（3）和长丝结构。 制备纳米多孔膜（3）使得孔（8）的壁包含单晶区，催化剂（7）至少部分地生长在所述单晶区上。

公开(公告)号：EP1673306B1

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：EP04817217.5

申请日：2004-10-12

Applicant: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) ,  Ecole Polytechnique Dgar

Inventor： PRIBAT, Didier ,  WEGROWE, Jean-Eric ,  WADE, Travis

IPC: C01B31/02

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B01J21/04 ,  B01J21/185 ,  B01J23/63 ,  B01J23/83 ,  B01J35/065 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C30B25/18 ,  C30B29/60 ,  D01F9/08 ,  D01F9/12 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/843

Abstract: The invention relates to a method for synthesis of electronic components, incorporating filament structures on a nanometre scale, whereby a metallic catalyst (7) is deposited in a nanoporous membrane (3) which can penetrate at least a part of the pores (8) of the nanoporous membrane (3) and filament structures are grown in the catalyst in at least a part of the pores (8) of the nanoporous membrane (3). The nanoporous membrane (3) is produced such that the wall of the pores (8) comprise a monocrystalline zone and the catalyst (7) is at least partially grown on said monocrystalline zone.

公开(公告)号：EP1730796A1

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：EP05742718.9

申请日：2005-03-21

Applicant: Ecole Polytechnique Dgar

Inventor： WADE, Travis ,  WEGROWE, Jean-Eric

IPC: H01L51/30 ,  H01L29/78 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  C25D11/12 ,  C25D11/18 ,  C25D11/20 ,  H01L49/006 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/89 ,  Y10T29/49014 ,  Y10T29/49018 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49455 ,  Y10T29/496

Abstract: The invention relates to a method for producing electronic components consisting in carrying out a first anodisation of a carrier material (1) for forming at least one first pore (3) extending in a first direction in said carrier material (1) and in carrying out a second anodisation for forming at least one second pore (17) extending in the carrier material (1) in a second direction different from the first direction.