公开(公告)号：CN102130218B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201110006527.1

申请日：2011-01-13

Applicant: FEI公司

Inventor： G.N.A.范维恩 ,  C.S.库伊曼 ,  L.K.南弗 ,  T.L.M.肖尔特斯 ,  A.萨基克

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L27/144 ,  H01L31/115

CPC classification number: H01L31/1185 ,  H01J37/244 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明公开了一种用于制造用于检测例如200eV电子的辐射检测器的工艺。这使得所述检测器适合于例如用在扫描电子显微镜中。本发明致力于将铝栅格形成在硼层上，而不损及硼层。为此，通过下述方式来形成铝栅格：用铝层完全覆盖硼层，并且然后通过刻蚀移除所述铝层的一部分，所述刻蚀包括干法刻蚀的第一步骤（304），所述干法刻蚀的步骤限定栅格，但让所述硼层的一部分上的薄铝层暴露，之后是湿法刻蚀的第二步骤（308），所述湿法刻蚀的步骤从被暴露的硼层的一部分完全移除铝。

公开(公告)号：CN102130218A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201110006527.1

申请日：2011-01-13

Applicant: FEI公司

Inventor： G.N.A.范维恩 ,  C.S.库伊曼 ,  L.K.南弗 ,  T.L.M.肖尔特斯 ,  A.萨基克

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L27/144 ,  H01L31/115

CPC classification number: H01L31/1185 ,  H01J37/244 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明公开了一种用于制造用于检测例如200eV电子的辐射检测器的工艺。这使得所述检测器适合于例如用在扫描电子显微镜中。本发明致力于将铝栅格形成在硼层上，而不损及硼层。为此，通过下述方式来形成铝栅格：用铝层完全覆盖硼层，并且然后通过刻蚀移除所述铝层的一部分，所述刻蚀包括干法刻蚀的第一步骤（304），所述干法刻蚀的步骤限定栅格，但让所述硼层的一部分上的薄铝层暴露，之后是湿法刻蚀的第二步骤（308），所述湿法刻蚀的步骤从被暴露的硼层的一部分完全移除铝。