公开(公告)号：WO2022122547A1

公开(公告)日：2022-06-16

申请号：PCT/EP2021/083974

申请日：2021-12-02

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. [DE]/[DE]

Inventor： UEBEL, David ,  ERNST, Owen ,  BANSEN, Roman ,  TEUBNER, Thomas ,  SCHRAMM, Hans-peter ,  BOECK, Torsten

IPC: H01L21/02

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Silizium-basierten Wafern, welches die Abfolge der nachfolgenden Schritte umfasst: a) Bereitstellen eines Substrats mit einer amorphen Siliziumschicht auf der Oberfläche des Substrats und einer die amorphe Siliziumschicht bedeckende native Siliziumoxidschicht (30); b) (i) partielles oder vollständiges Abtragen der nativen Siliziumoxidschicht und Erzeugen einer artifiziellen Siliziumoxidschicht mit einer definierten Schichtdicke auf der amorphen Siliziumschicht; oder (ii) partielles Abtragen der nativen Siliziumoxidschicht bis auf eine vorgegebene Schichtdicke; und c) Aufwachsen einer kristallinen Siliziumschicht auf der Oberfläche der (i) artifiziellen Siliziumoxidschicht oder (ii) partiell abgetragenen Siliziumoxidschicht mittels Temperatur- Differenz-Methode (TDM) aus metallischer Schmelze. Ferner betrifft die Erfindung einen Silizium-basierten Wafer, der nach dem Verfahren hergestellt werden kann.