公开(公告)号：JPWO2005022243A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：JP2005513456

申请日：2004-08-26

Applicant: Fdk株式会社 ,  Fdk株式会社

Inventor： 後藤　裕二 ,  裕二 後藤 ,  北岡　幹雄 ,  幹雄 北岡 ,  浩光 梅澤 ,  浩光 梅澤 ,  徳増　次雄 ,  次雄 徳増 ,  利彦 渡辺 ,  利彦 渡辺 ,  明年 目崎 ,  明年 目崎 ,  加藤　隆司 ,  隆司 加藤 ,  雅春 星川 ,  雅春 星川 ,  千春 西田 ,  千春 西田

IPC: G02F1/09

CPC classification number: G02F1/09 ,  G02F1/093

Abstract: 本発明の目的は、小型化、光制御の高速化を図り、電源構成やその制御を簡素化すること、また励磁電流の遮断後もファラデー回転角を任意の状態で保持できるようにすることにある。板状部16と、その片面に突設した4本の柱状部18とが連続一体となっている構造をなし、高透磁率磁性材料からなる磁気ヨーク10と、その各柱状部に巻装したコイル12と、4本の柱状部の先端部分で囲まれた開磁路領域に配置した磁気光学素子14とを具備している。磁気光学素子にコイルによる磁界が印加されるようにする。

公开(公告)号：JP4919310B2

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：JP2001137294

申请日：2001-05-08

Applicant: Fdk株式会社 ,  弘之 脇若 ,  長野県

Inventor： 洋次 山田 ,  美之 梅本 ,  照夫 清宮 ,  利彦 渡辺 ,  美加 牧村 ,  弘之 脇若

IPC: H01L41/12 ,  C03C17/09 ,  C22C38/00 ,  C23C14/14 ,  H01F1/03 ,  H01F10/14 ,  H01L41/22 ,  H01L41/316 ,  H01L41/47

CPC classification number: C03C17/09 ,  C03C2217/261 ,  C03C2217/268 ,  C03C2217/269 ,  C03C2217/27 ,  C03C2218/15 ,  H01F1/0306

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a supermagnetostriction thin film element, which shows large magnetostriction characteristics even to a small magnetic field, and to provide a method of manufacturing the supermagnetostriction thin film element which can develop the supermagnetostriction characteristics in a simple manufacturing process. SOLUTION: An supermagnetostriction thin film element having a substrate and a thin film is formed on the substrate and consists of a supermagnetostriction material. The thin film consists of a vapor-grown RT (The R is a Y-containing rare-earth element and the T is a transition metal containing Fe as its main component.) system of the supermagnetostriction material. When the percentage of the R at the point of intersection of the incongruent melting temperature of an RT2 Laves phase and the liquid phase line of a Laves phase on the state diagram of the supermagnetostriction material is assumed to be x at%, the percentage of the R is set at x±3 at%. It is desirable that the R is Tb, the T is Fe and the percentage of the Tb is set at 37 to 43 at%. Moreover, it is desirable that the internal stress of the thin film is set lower than 100 MPa. For reduction of the internal stress, a heat treatment is effective.

公开(公告)号：JP4572834B2

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：JP2005513456

申请日：2004-08-26

Applicant: Fdk株式会社

Inventor： 隆司 加藤 ,  幹雄 北岡 ,  裕二 後藤 ,  次雄 徳増 ,  雅春 星川 ,  浩光 梅澤 ,  利彦 渡辺 ,  明年 目崎 ,  千春 西田

IPC: G02F1/09

CPC classification number: G02F1/09 ,  G02F1/093