公开(公告)号：DE112010004804B4

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：DE112010004804

申请日：2010-10-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHANG YING ,  DORIS BRUCE ,  CHENG KANGGUO

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/092

Abstract: Verfahren zum Herstellen von Elementen für eine integrierte Schaltung, welches das Folgende umfasst: Erzeugen von Dornen (Mandrels) auf einer Fläche eines Halbleitersubstrats; Bilden von Abstandhaltern um einen Rand der Dorne herum; Anwenden einer ersten schrägen Ionenimplantation, um eine erste Dotierung einzubringen, so dass die Abstandhalter und Dorne eine Sperrmaske bilden, um die erste Dotierung auf einer Seite der Sperrmaske in eine darunter angeordnete Halbleiterschicht zu leiten; Anwenden einer zweiten schrägen Ionenimplantation in einer der ersten schrägen Ionenimplantation entgegengesetzten Richtung, um eine zweite Dotierung einzubringen, so dass die Sperrmaske die zweite Dotierung auf einer gegenüber liegenden Seite der Sperrmaske in die darunter angeordnete Halbleiterschicht leitet; nach dem Anwenden der ersten Implantation und nach dem Anwenden der zweiten Ionenimplantation selektives Entfernen der Dome relativ zu den Abstandhaltern; nach dem selektiven Entfernen der Dorne, Strukturieren der darunter angeordneten Halbleiterschicht unter Verwendung der Abstandhalter als Ätzmaske, um Finnen mit der ersten Dotierung und Finnen mit der zweiten Dotierung zu bilden, wobei bezüglich einer zu bildenden Finne das Strukturieren der Halbleiterschicht beidseitig bezüglich der zu bildenden Finne erfolgt; Tempern der Finnen mit der ersten Dotierung und der Finnen mit der zweiten Dotierung; und Bilden von Finnen-Feldeffekttransistoren unter Verwendung der Finnen.