公开(公告)号：DE112012000256B4

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：DE112012000256

申请日：2012-01-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LACROIX LUKE D ,  LAMOREY MARK C H ,  OAKLAND STEVEN F ,  PATEL JANAK G ,  PFARR KERRY P ,  SLOTA PETER ,  STONE DAVID B

IPC: G01R31/00

Abstract: Struktur, aufweisend:mindestens zwei Signalleitungen (30', 30"), die eine oder mehrere Metallschichten unter einem Schatten eines Kontakthügels einer integrierten Schaltung durchqueren, wobei die mindestens zwei Signalleitungen mit einer Spannungsquelle mit einer bekannten Spannung von einer oberen Metallschicht der einen oder mehrere Metallschichten gekoppelt sind; undeine mit den mindestens zwei Signalleitungen gekoppelte Schaltung, wobei die Schaltung so aufgebaut ist, dass sie ein Signal mit der bekannten Spannung von den mindestens zwei Signalleitungen empfängt und, falls die bekannte Spannung nicht erfasst wird, feststellt, dass ein struktureller Defekt in der integrierten Schaltung vorliegt,wobei die Schaltung ferner umfasst: ein NAND-Gatter (50); einen Masseanschluss (GND); einen ersten Feldeffekttransistor (40'), der mit einer ersten Signalleitung (30') der mindestens zwei Signalleitungen, der Masse (GND) und einem ersten Eingang des NAND-Gatters (50) verbunden ist; und einen zweiten Feldeffekttransistor (40"), der mit einer zweiten Signalleitung der mindestens zwei Signalleitungen, der Masse (GND) und einem zweiten Eingang des NAND-Gatters (50) verbunden ist.