公开(公告)号：DE112012001855B4

公开(公告)日：2019-06-06

申请号：DE112012001855

申请日：2012-04-15

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： CAI JIN ,  DENNARD ROBERT H ,  HAENSCH WILFRIED E ,  NING TAK H

IPC: H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L27/12

Abstract: Verfahren (504) zur Herstellung einer komplementären Transistor-Inverterschaltung (102), das Verfahren aufweisend:- Herstellen eines lateralen PNP-Transistors (106) auf einem Halbleiter-auf-Isolator-Substrat, wobei der laterale bipolare PNP-Transistor (106) eine PNP-Basis (110), einen PNP-Emitter (112) und einen PNP-Kollektor (114) umfasst;- Herstellen eines lateralen NPN-Transistors (108) auf einem Halbleiter-auf-Isolator-Substrat, wobei der laterale bipolare NPN-Transistor (108) eine NPN-Basis (116), einen NPN-Emitter (118) und einen NPN-Kollektor (120) umfasst; und- elektrisches Verbinden (508) des lateralen PNP-Transistors (106) und des lateralen NPN-Transistors (108), um einen Inverter zu bilden,- wobei das Herstellen des lateralen PNP-Transistors (106) ein erstes Herstellungsverfahren mit den Schritten:- Bilden eines Platzhalterstapels (306) über der PNP-Basis (110), wobei der Platzhalterstapel eine Dielektrikumsschicht und eine Halbleiterschicht über der Dielektrikumsschicht umfasst;- Entfernen des Platzhalterstapels (306); und- Ersetzen des Platzhalterstapels durch eine extrinsische PNP-Basiszone (124), welche an die PNP-Basis (110) stößt, wobei die extrinsische PNP-Basiszone (124) eine stark dotierte Halbleiterzone des n-Typs ist;oder ein zweites Herstellungsverfahren mit den Schritten:- Dotieren einer PNP-Zone des Halbleiter-auf-Isolator-Substrats mit einem Dotierstoff des n-Typs, um eine Zone des n-Typs zu bilden;- Bilden eines PNP-Platzhalterstapels über der PNP-Zone, wobei der Platzhalterstapel eine Dielektrikumsschicht und eine Halbleiterschicht über der Dielektrikumsschicht umfasst;- Implantieren eines Materials des p-Typs unter Verwendung des Platzhalterstapels als Maske, um eine stark dotierte Emitterzone des p-Typs und eine stark dotierte Kollektorzone des p-Typs zu bilden;- Entfernen des PNP-Platzhalterstapels; und- Ersetzen des Platzhalterstapels durch eine extrinsische PNP-Basiszone, welche an die Zone des n-Typs stößt, wobei die extrinsische PNP-Basiszone eine stark dotierte Halbleiterzone des n-Typs ist;umfasst.