公开(公告)号：DE112010004501B4

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：DE112010004501

申请日：2010-10-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MOUMEN NAIM ,  MARTIN YVES C ,  VAN KESSEL THEODORE GERARD ,  SANDSTROM ROBERT L ,  GUHA SUPRATIK

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: Photovoltaikzellenstruktur, die Folgendes aufweist:ein Substrat (10), das ein Photovoltaikmaterial aufweist, das durch Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung ein elektrisches Potenzial ungleich null über einer Vorderfläche (17) und einer Rückfläche (19) des Substrats (10) erzeugt;zumindest eine seitlich isolierte, durch das Substrat (10) führende Kontaktstruktur (12, 40), die in das Substrat (10) integriert ist und eine dielektrische Auskleidung (12) und eine leitende Durchkontaktierung (40) durch das Substrat (10) aufweist, wobei die dielektrische Auskleidung (12) und die leitende Durchkontaktierung (40) über die Rückfläche (19) des Substrats (10) vorstehen;eine erste zusammenhängende Metallverdrahtungsstruktur (50A), die von der Rückfläche (19) beabstandet ist und in Kontakt mit der leitenden Durchkontaktierung (40) durch das Substrat (10) in der zumindest einen seitlich isolierten, durch das Substrat (10) führenden Kontaktstruktur (12, 40) steht;eine zweite zusammenhängende Metallverdrahtungsstruktur (50B), die mit der Rückfläche (19) des Substrats (10) in Kontakt steht, wobei das elektrische Potenzial ungleich null über der ersten und der zweiten zusammenhängenden Metallverdrahtungsstruktur (50A, 50B) bereitgestellt wird;eine Antireflexionsschicht (20), die sich direkt auf der Vorderfläche (17) befindet, wobei es sich bei der Antireflexionsschicht (20) um ein leitendes Material handelt, wobei die leitende Durchkontaktierung (40) leitend mit einem Flächenabschnitt (39) des Substrats (10) lediglich durch die Antireflexionsschicht (20) verbunden ist und elektrisch von der Rückfläche (19) getrennt ist, und wobei sich der Flächenabschnitt (39) an der Vorderfläche (17) befindet und an die Antireflexionsschicht (20) angrenzt; undeine strukturierte dielektrische Schicht (30), die eine proximale Fläche (31), die einen Abschnitt der Rückfläche (19) berührt, und eine vertikale Fläche (35) aufweist, die äußere Seitenwände der zumindest einen dielektrischen Auskleidung (12) berührt, wobei die strukturierte dielektrische Schicht (30) eine distale Fläche (33) aufweist, die mit einer Fläche der zumindest einen Durchkontaktierung (12, 40) durch das Substrat (10) koplanar ist.