公开(公告)号：DE102015210492A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102015210492

申请日：2015-06-09

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： VAN BENTUM RALPH ,  YUN JONGSIN ,  SEO SEUNGHWAN ,  SCHMID JOERG

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

Abstract: Eine veranschaulichende Halbleiterstruktur, die hierin beschrieben wird, umfasst ein Substrat, das ein Gebiet für einen Logiktransistor, ein Gebiet für einen ferroelektrischen Transistor und ein Gebiet für einen Eingabe-Ausgabe-Transistor umfasst. An dem Gebiet für den Logiktransistor befindet sich ein Logiktransistor. Der Logiktransistor umfasst ein Gatedielektrikum und eine Gateelektrode. An dem Gebiet für den Eingabe-Ausgabe-Transistor befindet sich ein Eingabe-Ausgabe-Transistor. Der Eingabe-Ausgabe-Transistor umfasst ein Gatedielektrikum und eine Gateelektrode. Das Gatedielektrikum des Eingabe-Ausgabe-Transistors hat eine größere Dicke als das Gatedielektrikum des Logiktransistors. An dem Gebiet für den ferroelektrischen Transistor befindet sich ein ferroelektrischer Transistor. Der ferroelektrische Transistor umfasst ein ferroelektrisches Dielektrikum und eine Gateelektrode. Das ferroelektrische Dielektrikum ist zwischen dem Gebiet für den ferroelektrischen Transistor und der Gateelektrode des ferroelektrischen Transistors angeordnet.

公开(公告)号：DE102014204110A1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：DE102014204110

申请日：2014-03-06

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： YUN JONGSIN

IPC: H01L27/11 ,  G11C11/22 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/105 ,  H01L29/43

Abstract: Eine Vorrichtung umfasst eine SRAM-Zelle, die eine Kippstufe, einen ersten Zugriffstransistor und einen zweiten Zugriffstransistor umfasst. Jeder von dem ersten und dem zweiten Zugriffstransistor umfasst mindestens ein Kanalgebiet, eine Gateelektrode und eine zwischen dem mindestens einen Kanalgebiet und der Gateelektrode angeordnete ferroelektrische Schicht.