公开(公告)号：US20150255353A1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：US14197267

申请日：2014-03-05

Applicant: GLOBALFOUNDRIES Inc.

Inventor： Jing WAN ,  Andy WEI ,  Jinping LIU ,  Xiang HU ,  Dae-han CHOI ,  Dae Geun YANG ,  Churamani GAIRE ,  Akshey SEHGAL

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924

Abstract: Methods for forming FinFET source/drain regions with a single reticle and the resulting devices are disclosed. Embodiments may include forming a first fin and a second fin above a substrate, forming a gate crossing over the first fin and the second fin, removing portions of the first fin and the second fin on both sides the gate, forming silicon phosphorous tops on the first fin and the second fin in place of the portions, removing the silicon phosphorous tops on the first fin, and forming silicon germanium tops on the first fin in place of the silicon phosphorous tops.

Abstract translation: 公开了用单个掩模版形成FinFET源极/漏极区域的方法以及所得到的器件。 实施例可以包括在衬底上形成第一鳍片和第二鳍片，形成跨越第一鳍片和第二鳍片的栅极，在栅极的两侧去除第一鳍片和第二鳍片的部分，在第二鳍片上形成硅磷顶部 第一鳍片和第二鳍片代替部分，去除第一鳍片上的磷磷顶部，并且在第一鳍片上形成硅锗顶部代替硅磷顶部。