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    PHOTODIODE ARRAY
    2.
    发明公开
    PHOTODIODE ARRAY 审中-公开

    公开(公告)号：EP2634821A4

    公开(公告)日：2017-12-27

    申请号：EP11836216

    申请日：2011-10-24

    Applicant: HAMAMATSU PHOTONICS KK

    Inventor： SATO KENICHI ,  YAMAMURA KAZUHISA ,  OHSUKA SHINJI

    IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H01L31/107

    CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/02027

    Abstract: This photodiode array 10 includes quenching resistors 7 which are connected in series to respective avalanche photodiodes APDs, a peripheral wiring WL which surrounds a region in which the plurality of avalanche photodiodes APDs are formed, and a plurality of relay wirings 8 which are electrically connected to the peripheral wiring WL, so as to respectively connect at least two places of the peripheral wiring WL. One of an anode and a cathode of each avalanche photodiode APD is electrically connected to any one of the relay wirings 8 via the quenching resistor 7, and the other of the anode and the cathode of each avalanche photodiode APD is electrically connected to another electrode 6 provided on a semiconductor substrate.

    フォトダイオードアレイ
    7.
    发明专利
    フォトダイオードアレイ 有权
    光斑阵列

    公开(公告)号：JP2014225714A

    公开(公告)日：2014-12-04

    申请号：JP2014185233

    申请日：2014-09-11

    Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  Hamamatsu Photonics Kk

    Inventor： YAMAMURA KAZUHISA ,  SATO KENICHI

    IPC: H01L31/107

    CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L27/14 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/107

    Abstract: 【課題】特性の高いフォトダイオードアレイを提供する。【解決手段】このフォトダイオードアレイは、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオード(光検出チャンネル10)を配列してなるフォトダイオードアレイにおいて、アバランシェフォトダイオードが形成された基板と、基板上に形成された絶縁膜16と、絶縁膜16上に設けられた信号導線3と、アバランシェフォトダイオードと信号導線3とを接続する抵抗4と、アバランシェフォトダイオード10間に形成されたトレンチ溝と、トレンチ溝内に埋められ、アバランシェフォトダイオードが吸収する波長帯域の光を吸収、又は反射する物質とを備える分離部20とを備え、信号導線3は、分離部20上に設けられている。【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题：提供具有高特性的光电二极管阵列。解决方案：在光电二极管阵列中，排列以盖革模式操作的多个雪崩光电二极管（光电检测器通道10）。 光电二极管阵列包括：形成有雪崩光电二极管的基板; 形成在基板上的绝缘膜16; 设置在绝缘膜16上的信号导体3; 连接雪崩光电二极管和信号导体3的电阻器4; 以及分离部分20，其包括形成在雪崩光电二极管10之间的沟槽和嵌入沟槽中的材料，并吸收或反射由雪崩光电二极管吸收的波长带中的光。 信号导体3设置在分离部20上。

    Photodiode array
    8.
    发明专利
    Photodiode array 有权
    光斑阵列

    公开(公告)号：JP2013048278A

    公开(公告)日：2013-03-07

    申请号：JP2012238222

    申请日：2012-10-29

    Applicant: Hamamatsu Photonics Kk ,  浜松ホトニクス株式会社

    Inventor： YAMAMURA KAZUHISA ,  SATO KENICHI

    IPC: H01L31/107

    CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L27/14 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/107

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photodiode array with excellent characteristics.SOLUTION: A photodiode array includes: a resistor 4 in which one end is electrically connected to an avalanche photodiode and which is disposed on a light incident surface of the avalanche photodiode; a read-out portion 3a of a signal conducting wire that is connected to the other end the of resistor 4; a first insulating film 16a that is formed on an epitaxial semiconductor layer; and a second insulating film 16b that is formed on the first insulating film 16a. The resistor 4 is interposed between the first insulating film 16a and the second insulating film 16b, and the signal conducting wire 3 is provided on the second insulating film 16b.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供具有优异特性的光电二极管阵列。 解决方案：光电二极管阵列包括：电阻器4，其一端电连接到雪崩光电二极管，并设置在雪崩光电二极管的光入射表面上; 与另一端连接电阻器4的信号导线的读出部分3a; 形成在外延半导体层上的第一绝缘膜16a; 以及形成在第一绝缘膜16a上的第二绝缘膜16b。 电阻器4介于第一绝缘膜16a和第二绝缘膜16b之间，信号导线3设置在第二绝缘膜16b上。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

    光電変換素子及び光電変換モジュール
    9.
    发明专利
    光電変換素子及び光電変換モジュール 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017117836A

    公开(公告)日：2017-06-29

    申请号：JP2015248641

    申请日：2015-12-21

    Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  Hamamatsu Photonics Kk

    Inventor： YAMAMOTO AKINAGA ,  NAKAMURA SHIGEYUKI ,  NAGANO TERUMASA ,  SATO KENICHI

    IPC: H01L27/146 ,  G01T1/20 ,  H01L27/144 ,  H01L31/107

    Abstract: 【課題】幅広い光量レンジに対応し得る光電変換素子を提供する。【解決手段】光電変換モジュール2Aは、光電変換素子1A及び読出回路5Aを備える。光電変換素子1Aは、APDをそれぞれ含む複数のピクセル10と、複数のピクセル10に含まれる二以上のピクセル11と電気的に接続され、二以上のピクセル11からの出力電流を一括して取り出す配線21と、複数のピクセル10に含まれる二以上のピクセル12と電気的に接続され、二以上のピクセル12からの出力電流を一括して取り出す配線22とを備える。読出回路5Aは、配線21とGND線51との間に接続され、ピクセル11からの出力電流を電圧信号V1に変換する抵抗41と、配線22とGND線51との間に接続され、ピクセル12からの出力電流を電圧信号V2に変換する抵抗42とを有する。抵抗42の抵抗値は、抵抗41の抵抗値よりも小さい。【選択図】図4

    光電変換素子
    10.
    发明专利
    光電変換素子 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017117834A

    公开(公告)日：2017-06-29

    申请号：JP2015248637

    申请日：2015-12-21

    Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  Hamamatsu Photonics Kk

    Inventor： YAMAMOTO AKINAGA ,  NAKAMURA SHIGEYUKI ,  NAGANO TERUMASA ,  SATO KENICHI

    IPC: H01L31/107 ,  G01J1/02 ,  G01J1/42 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10

    Abstract: 【課題】幅広い光量レンジに対応し得る光電変換素子を提供する。【解決手段】光電変換素子1Aは、共通の半導体基板30に形成され、共通のバイアス電圧により動作するAPDをそれぞれ含む複数のピクセル10と、複数のピクセル10に含まれる二以上の第1のピクセル11と電気的に接続され、二以上の第1のピクセル11からの出力電流を一括して取り出す第1の配線21と、複数のピクセル10に含まれる二以上の第2のピクセル12と電気的に接続され、二以上の第2のピクセル12からの出力電流を一括して取り出す第2の配線22とを備える。第1のピクセル11の受光面積は、第2のピクセル12の受光面積よりも大きい。【選択図】図1

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