Abstract:
Techniques related to optical connectors are described. A ferrule includes an optical pathway for light transmission through the ferrule. In examples, a sub-wavelength grating (SWG) assembly is integrated in the ferrule, aligned with an end of the optical pathway.
Abstract:
Techniques related to optical devices are described herein. In an example, an optical device includes (a) an input optical channel and a corresponding output optical channel, and (b) an assembly of sub-wavelength grating layers aligned to optically couple the input optical channel to the output optical channel.
Abstract:
Ein Hybrid-Geführte-Mode-Resonanz-Gitter (Hybrid-GMR-Gitter), ein optisches Filter und ein Verfahren zum optischen Filtern setzen eine verteilte Bragg-Reflexion ein. Das Hybrid-GMR-Gitter umfasst eine Wellenleiterschicht, die eine GMR mit einer GMR-Resonanzfrequenz unterstützt. Das Hybrid-GMR-Gitter umfasst ferner ein Beugungsgitter, das einen Teil eines Signals, das auf das Hybrid-GMR-Gitter einfällt, in die Wellenleiterschicht koppelt; und einen verteilten Bragg-Reflektor (DBR), der einen weiteren Teil des einfallenden Signals reflektiert. Der gekoppelte Teil des einfallenden Signals besitzt eine Frequenz, die der GMR-Resonanzfrequenz entspricht. Der reflektierte Teil besitzt eine Frequenz entfernt von der GMR-Resonanzfrequenz. Das optische Filter umfasst das Hybrid-GMR-Gitter und einen Koppler. Das Verfahren umfasst ein Koppeln eines optischen Signals in das Hybrid-GMR-Gitter und ferner ein Koppeln eines reflektierten Signals aus dem Hybrid-GMR-Gitter heraus.
Abstract:
A light emitting diode (100 or 150) includes a diode structure containing a quantum well (120), an enhancement layer (142), and a barrier layer (144 or 148) between the enhancement layer (142) and the quantum well (120). The enhancement layer (142) supports plasmon oscillations at a frequency that couples to photons produced by combination of electrons and holes in the quantum well (120). The barrier layer serves to block diffusion between the enhancement layer (142) and the diode structure.
Abstract:
A light-emitting diode (LED) (101). The LED (101) includes a plurality of portions including a p-doped portion (112), an intrinsic portion (114), and a n-doped portion (116). The intrinsic portion (114) is disposed between the p-doped portion (112) and the n-doped portion (116) and forms a p-i junction (130) and an i-n junction (134) The LED (101) also includes a metal-dielectric-metal (MDM) structure (104) including a first metal layer (140), a second metal layer (144), and a dielectric medium disposed between the first metal layer (140) and the second metal layer (144). The metal layers of the MDM structure (104) are disposed about orthogonally to the p-i junction (130) and the i-n junction (134); the dielectric medium includes the intrinsic portion (114); and, the MDM structure (104) is configured to enhance modulation frequency of the LED (101) through interaction with surface plasmons that are present in the metal layers.