Ionenstrahlsystem
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102017005565B4

    公开(公告)日:2025-02-06

    申请号:DE102017005565

    申请日:2017-06-12

    Abstract: Ionenstrahlsystem mit einer Gas-Feldionisations-Ionenquelle (1), welche Folgendes aufweist:ein Vakuumgefäß (15),einen Emitterspitzenhalter (35), der sich im Vakuumgefäß (15) befindet,eine Emitterspitze (21), die mit dem Emitterspitzenhalter (35) verbunden ist,eine Extraktionselektrode (24), die der Emitterspitze (21) entgegengesetzt ist,einen Gaszufuhrabschnitt (26) zum Zuführen eines Gases zur Emitterspitze (21) undein Kälteübertragungselement (33), das sich im Vakuumgefäß (15) befindet und Kühlenergie auf den Emitterspitzenhalter (35) überträgt,wobeidie Oberfläche des Kälteübertragungselements (33) mit einem wärmeisolierenden Material (34) bedeckt ist, um die Kondensation des Gases zu verhindern, unddas Kälteübertragungselement (33) ein Metalldünnfilm (85) oder ein Metalllitzendraht (56) ist und an seiner Oberfläche eine wärmeisolierende Schicht (87) haftet,gekennzeichnet durch ein Haftelement (81), das die Oberfläche des Kälteübertragungselements (33) bedeckt, wobei das wärmeisolierende Material (34) über das Haftelement (81) an der Oberfläche des Kälteübertragungselements (33) haftet und das Haftelement (81) bedeckt.

    IONENSTRAHLVORRICHTUNG
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102018106993A1

    公开(公告)日:2018-10-25

    申请号:DE102018106993

    申请日:2018-03-23

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung schaltet eine Ionenstrahlvorrichtung zwischen einem Betriebsmodus, bei dem mit einem hauptsächlich H-Ionen aufweisenden Ionenstrahl bestrahlt wird, und einem Betriebsmodus, bei dem mit einem hauptsächlich Ionen, die schwerer als Hsind, aufweisenden Ionenstrahl bestrahlt wird.

    Ionenstrahlsystem
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102017005565A1

    公开(公告)日:2018-01-11

    申请号:DE102017005565

    申请日:2017-06-12

    Abstract: Es ist ein Ionenstrahlsystem vorgesehen, das eine Gas-Feldionisations-Ionenquelle aufweist, die einen für eine Verarbeitung ausreichenden hohen Strom erhalten kann und einen Ionenstrahlstrom stabilisieren kann. Das Ionenstrahlsystem weist eine Gas-Feldionisations-Ionenquelle auf, welche Folgendes aufweist: ein Vakuumgefäß, einen Emitterspitzenhalter, der sich im Vakuumgefäß befindet, eine Emitterspitze, die mit dem Emitterspitzenhalter verbunden ist, eine Extraktionselektrode, die der Emitterspitze entgegengesetzt ist, einen Gaszufuhrabschnitt zum Zuführen eines Gases zur Emitterspitze und ein Kälteübertragungselement, das sich im Vakuumgefäß befindet und Kühlenergie auf den Emitterspitzenhalter überträgt. Die Oberfläche des Kälteübertragungselements ist mit einem wärmeisolierenden Material bedeckt, um eine Gaskondensation zu verhindern.

    Fokussierte lonenstrahlvorrichtung

    公开(公告)号:DE102018102099A1

    公开(公告)日:2018-08-16

    申请号:DE102018102099

    申请日:2018-01-31

    Inventor: KAWANAMI YOSHIMI

    Abstract: Eine fokussierte Ionenstrahlvorrichtung umfasst Folgendes: einen Vakuumbehälter; eine Emitterspitze, die im Vakuumbehälter angeordnet ist und ein zugespitztes Vorderende aufweist; eine Gasfeld-Ionenquelle; eine fokussierende Linse; einen ersten Deflektor; eine erste Apertur; eine Objektivlinse, die den durch den ersten Deflektor tretenden Ionenstrahl fokussiert; und einen Probentisch. Ein Signalgenerator, der auf den Ionenstrahl in einem punktförmigen Bereich reagiert, ist zwischen dem Probentisch und einem optischen System, das mindestens die fokussierende Linse, die erste Apertur, den ersten Deflektor und die Objektivlinse umfasst, angeordnet, und ein Rasterfeldionenmikroskopbild der Emitterspitze wird erzeugt, indem ein vom Signalgenerator ausgegebenes Signal und die Abtastung des Ionenstrahls durch den ersten Deflektor aneinander angepasst werden.

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