公开(公告)号：WO1991004573A2

公开(公告)日：1991-04-04

申请号：PCT/US1990004899

申请日：1990-08-29

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  BREWER, Peter, D. ,  ZINCK, Jennifer, J.

IPC: H01L21/465

CPC classification number: H01L21/461 ,  H01L21/428

Abstract: A pulsed beam (14) from an excimer laser (10) is used for precision ablation of cadmium telluride (CdTe) and other material (16) to fabricate and delineate devices in electronic microcircuit structures. The fluence of the beam may be adjusted to selectively remove one constituent of the material (16), such as cadmium vs. tellurium, at a higher rate than the other constituent, while maintaining the integrity of the material surface. The beam may selectively remove an epitaxial layer of CdTe, CdZnTe, or HgCdTe from a GaAs substrate. The beam may be directed through a projection mask (32) and optical system (40) onto a material (34) to form an image for patterned ablation. The optical system (40) may focus an image of the mask on the material to form vertical sidewall patterns, or slightly defocus the image to form curved sidewall patterns and/or concave and convex lens structures for optical arrays.

公开(公告)号：WO1993010286A1

公开(公告)日：1993-05-27

申请号：PCT/US1992009575

申请日：1992-11-06

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  ZINCK, Jennifer, J. ,  BREWER, Peter, D.

IPC: C30B33/00

CPC classification number: C23C16/0263 ,  C23C16/0227 ,  C30B29/48 ,  C30B33/00 ,  Y10S438/94 ,  Y10S438/98

Abstract: Chemically-etched CCdTe surfaces are exposed to UV excimer laser radiation at a fluence greater than the threshold fluence for creating a non-stoichiometric film, followed by either a low temperature (

Abstract translation: 化学蚀刻的CCdTe表面以大于阈值注量的注量暴露于UV准分子激光辐射，用于产生非化学计量的膜，随后是低温（<300℃）热退火或CdTe表面暴露于UV 准分子激光辐射的能量密度低于阈值注量。 该程序提供清洁，化学计量和有序的CdTe表面。

公开(公告)号：EP0443023A1

公开(公告)日：1991-08-28

申请号：EP90915129.0

申请日：1990-08-29

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： BREWER, Peter, D. ,  ZINCK, Jennifer, J.

IPC: B23K26 ,  H01L21

CPC classification number: H01L21/461 ,  H01L21/428

Abstract: Un faisceau pulsé (14) sortant d'un laser excimer (10) est utilisé pour l'ablation avec précision du tellurure de cadmium (CdTe) et d'autres matériaux (16) pour la fabrication et la délinéation de dispositifs dans des structures à microcircuits électroniques. La fluence du faisceau peut être réglée de façon à retirer sélectivement au constituant du matériau (16), tel que le cadmium contenu dans le tellure, à une cadence plus élevée que celle de l'autre constituant, tout en maintenant l'intégrité de la surface du matériau. Le faisceau peut retirer sélectivement une couche épitaxiale de CdTe, CdZnTe ou de HgCdTe d'un substrat GaAs. Le faisceau peut être dirigé à travers un masque de projection (32) et un système optique (40) sur un matériau (34) pour former une image permettant une ablation avec tracés. Le système optique (40) peut focaliser une image du masque sur le matériau pour former des tracés à paroi latérale verticale ou peut légèrement défocaliser l'image pour former des tracés à paroi latérale courbe et/ou des structures lenticulaires concaves et convexes pour des réseaux optiques.