公开(公告)号：WO1994015361A1

公开(公告)日：1994-07-07

申请号：PCT/US1993012495

申请日：1993-12-21

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  WOOLDRIDGE, John, J. ,  PODELL, Allen, F.

IPC: H01L23/36

CPC classification number: H01L29/41725 ,  H01L23/367 ,  H01L23/5381 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Semiconductor with field effect transistors therein has a substantial metallic source bridge joining the adjacent FET sources. The source bridge is mounted against a heat extracting support to both support the FET and cool it.

Abstract translation: 其中具有场效应晶体管的半导体具有连接相邻FET源的大量金属源桥。 源桥安装在散热支架上，以支撑FET并将其冷却。

公开(公告)号：EP0627124A1

公开(公告)日：1994-12-07

申请号：EP94905947.0

申请日：1993-12-21

Applicant: Hughes Aircraft Company

Inventor： WOOLDRIDGE, John, J. ,  PODELL, Allen, F.

IPC: H01L23 ,  H01L21 ,  H01L29

CPC classification number: H01L29/41725 ,  H01L23/367 ,  H01L23/5381 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: L'invention se rapporte à une puce de semiconducteur dans laquelle sont incorporés des transistors à effet de champ et qui comprend un pont de source essentiellement en métal reliant les sources de transistors à effet de champ adjacentes. Le pont de source est monté contre un support d'extraction de chaleur, qui sert à la fois à soutenir les transistors à effet de champ et à les refroidir.