公开(公告)号：WO1986007194A1

公开(公告)日：1986-12-04

申请号：PCT/US1986000892

申请日：1986-04-23

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  BUNSHAH, Rointan, F. ,  PARSONS, James, D. ,  STAFSUDD, Oscar, M.

IPC: H01L29/24

CPC classification number: H01L29/1608 ,  Y10T428/263

Abstract: A semiconductor device wafer base wherein devices may be fabricated in silicon carbide, the base having a compatible substrate and a beta silicon carbide overlay layer epitaxially related to the substrate, the beta silicon carbide layer being unpolytyped, single crystal, uncracked, without twins, and having integrated circuit quality surface morphology. Preferably, the substrate is a single crystal of titanium carbide, which is the same cubic lattice-type as beta silicon carbide with a lattice parameter different from that of beta silicon carbide by less than about 1%. Additionally, the thermal expansion coefficients of beta silicon carbide and titanium carbide are nearly the same, minimizing the creation of thermal stresses during cooling and heating. The beta silicon carbide is useful in fabricating semiconductor devices for use at much higher temperature than is silicon, and for use at high power levels, at high frequencies, and in radiation hardened applications. The device base may be fabricated by any suitable technique, including reactive deposition and chemical vapor deposition.

Abstract translation: 一种半导体器件晶片基底，其中器件可以制造在碳化硅中，所述基底具有兼容的衬底和与衬底外延相关的β碳化硅覆盖层，β碳化硅层未折射，单晶，未裂纹，无双胞胎，以及 具有集成电路质量的表面形态。 优选地，基体是碳化钛的单晶，其是与β碳化硅相同的立方晶格型，具有与β碳化硅的晶格参数不同于小于约1％的晶格参数。 此外，β碳化硅和碳化钛的热膨胀系数几乎相同，在冷却和加热期间最小化热应力的产生。 β碳化硅可用于制造比硅高得多的温度使用的半导体器件，并且在高功率级别，高频率和辐射硬化应用中使用。 器件基底可以通过任何合适的技术制造，包括反应沉积和化学气相沉积。

公开(公告)号：EP0222908A1

公开(公告)日：1987-05-27

申请号：EP86904481.0

申请日：1986-04-23

Applicant: Hughes Aircraft Company

Inventor： BUNSHAH, Rointan, F. ,  PARSONS, James, D. ,  STAFSUDD, Oscar, M.

IPC: H01L21 ,  C30B25 ,  C30B29 ,  H01L29

CPC classification number: H01L29/1608 ,  Y10T428/263

Abstract: Une tranche de base pour dispositifs à semiconducteurs pouvant être fabriqués en carbure de silicium comprend un substrat compatible et une couche surjacente en carbure de silicium beta associé par épitaxie au substrat. La couche en carbure de silicium beta est un monocristal non-polytypé, sans fissures et sans macles, ayant une morphologie de surface de qualité appropriée pour des circuits intégrés. De préférence, le substrat est un monocristal de carbure de titanium, avec le même type de réseau cubique que le carbure de silicium beta et avec un paramètre de réseau différant de moins de 1% environ de celui du carbure de silicium beta. En outre, les coefficients de dilatation thermique du carbure de silicium beta et du carbure de titanium sont presque identiques, ce qui réduit au maximum l'apparition de contraintes thermiques pendant le refroidissement et le chauffage. Le carbure de silicium beta sert à fabriquer des dispositifs à semiconducteurs utilisés à des températures beaucoup plus élevés que le silicium, à des niveaux élevés de puissance, à de hautes fréquences, et dans des applications soumises à des rayonnements durs. La base du dispositif peut être fabriquée par toute technique appropriée, y compris par dépôt réactif et par dépôt en phase gazeuse par procédé chimique.