公开(公告)号：WO1987001514A1

公开(公告)日：1987-03-12

申请号：PCT/US1986001842

申请日：1986-09-08

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  ELLION, M., Edmund ,  WOLFF, George

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/547

Abstract: A process for fabricating layered semiconductor structures, particularly thin gallium arsenide solar cells, on reusable substrates. The structure is fabricated by depositing a selectively removable layer such as gallium aluminum arsenide onto a substrate, and then depositing a solar cell basic structure on the selectively removable layer. Preferably, the solar cell basic structure includes a layer of p-type gallium arsenide on the layer of gallium aluminum arsenide, a layer of n-type gallium arsenide on the p-type gallium arsenide, and a transparent glass cover over the n-type gallium arsenide layer. The solar cell basic structure is separated from the sustrate by selectively dissolving the gallium aluminum arsenide layer, and a new layer of gallium aluminum arsenide is epitaxially deposited upon the exposed face to form a thin, lightweight gallium arsenide solar cell. If the layer of p-type gallium arsenide is about 0.5 microns thick or less, the new layer of gallium aluminum arsenide may be omitted. The separated substrate can then be reused.

Abstract translation: 在可重复使用的基板上制造分层半导体结构，特别是薄的砷化镓太阳能电池的方法。 通过将诸如砷化铝镓的选择性可移除层沉积到衬底上，然后在可选择性移除的层上沉积太阳能电池基本结构来制造该结构。 优选地，太阳能电池基本结构包括在砷化镓铝层上的p型砷化镓层，p型砷化镓上的n型砷化镓层和n型砷化镓上的透明玻璃盖 砷化镓层。 太阳能电池基本结构通过选择性地溶解镓砷化镓层而与基底分离，并且将新的砷化镓镓层外延沉积在暴露的表面上以形成薄且轻质的砷化镓太阳能电池。 如果p型砷化镓层的厚度为约0.5微米或更小，则可以省略新的砷化镓铝层。 然后可以重新使用分离的基底。

公开(公告)号：WO1988003706A1

公开(公告)日：1988-05-19

申请号：PCT/US1987002638

申请日：1987-10-15

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  ELLION, M., Edmund ,  WOLFF, George

IPC: H01L25/04

CPC classification number: H01L31/0693 ,  B64G1/443 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0504 ,  H02S40/36 ,  Y02E10/544

Abstract: A solar cell array (48) utilizing geometrically alternating, laterally disposed N-on-P and P-on-N gallium arsenide solar cells (26, 70). Improved array efficiency is achieved by placing adjacent solar cells in substantial contact with each other and eliminating bus connections (46) on the top surfaces. This is accomplished by providing the solar cells with a lateral cross-sectional configuration of a parallelogram with the N-on-P solar cells (26) slanted in one lateral direction and the P-on-N solar cells (10) slanted in the opposite direction. The top surfaces of adjacent, contacting solar cells are electrically connected by extending a connector grid (58) across the top surfaces. Strip connectors (60) are used to join the bases of adjacent solar cells.

Abstract translation: 利用几何交替的横向放置的N-on-P和P-on-N砷化镓太阳能电池（26,70）的太阳能电池阵列（48）。 通过将相邻的太阳能电池彼此基本接触并消除顶表面上的总线连接（46）来实现阵列效率的提高。 这是通过向太阳能电池提供横向横截面构型的平行四边形，其中N-on-P太阳能电池（26）沿一个横向方向倾斜，并且P-on-N太阳能电池（10）倾斜在 相反的方向。 相邻的接触式太阳能电池的顶表面通过跨过顶表面延伸连接器格栅（58）来电连接。 带状连接器（60）用于连接相邻太阳能电池的基座。

公开(公告)号：WO1987001513A2

公开(公告)日：1987-03-12

申请号：PCT/US1986001845

申请日：1986-09-08

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  ELLION, M., Edmund ,  WOLFF, George

IPC: H01L31/06

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/05 ,  Y02E10/547

Abstract: An N-on-P gallium arsenide solar cell, and solar cell arrays incorporating N-on-P gallium arsenide solar cells. In the N-on-P gallium arsenide solar cell, the n-type gallium arsenide faces the sun. The solar cell arrays utilize geometrically alternating, laterally disposed N-on-P solar cells and P-on-N solar cells. Series electrical connections between adjacent solar cells in the array are accomplished by connecting the lower faces of a first and a second solar cell, the upper faces of the second and a third solar cell, and so forth in an alternating pattern. The connections between the upper faces can be eliminated entirely by placing pairs of the N-on-P and P-on-N solar cells in lateral contact to form a module, extending a connector grid across the upper surface of the module, and using strip connectors to joint the bases of adjacent modules.

Abstract translation: 一种N-on-P砷化镓太阳能电池，以及包含N-on-P砷化镓太阳能电池的太阳能电池阵列。 在N-on-P砷化镓太阳能电池中，n型砷化镓面向太阳。 太阳能电池阵列利用几何交替的横向设置的N-on-P太阳能电池和P-on-N太阳能电池。 通过将第一和第二太阳能电池的下表面，第二和第三太阳能电池的上表面等以交替图案连接来实现阵列中的相邻太阳能电池之间的串联电连接。 上表面之间的连接可以通过将N-on-P和P-on-N太阳能电池的对放置在横向接触中来形成模块，从而将连接器格栅跨越模块的上表面延伸，并且使用 带状连接器以连接相邻模块的基座。

公开(公告)号：EP0288543A1

公开(公告)日：1988-11-02

申请号：EP87907641.0

申请日：1987-10-15

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： ELLION, M., Edmund ,  WOLFF, George

IPC: H01L31

CPC classification number: H01L31/0693 ,  B64G1/443 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0504 ,  H02S40/36 ,  Y02E10/544

Abstract: Arrangement géométrique de cellules solaires (48) utilisant des rangées alternées de cellules solaires (26, 70) N-sur-P et P-sur-N d'arséniure de gallium disposées côte à côte. On améliore l'efficacité de l'arrangement en plaçant les cellules adjacentes en contact mutuel et en éliminant les connexions par bus (46) sur les surfaces supérieures. Pour ce faire, on donne aux cellules la forme, en coupe latérale, d'un parallélogramme, les cellules N-sur-P (26) étant inclinées dans une direction et les cellules P-sur-N (10) étant inclinées dans la direction opposée. Les surfaces supérieures des cellules adjacentes en contact sont connectées électriquement à l'aide d'une grille de connexion (58) qui s'étend sur ces surfaces. Des bandes de connexion (60) sont utilisées pour joindre les bases des cellules solaires adjacentes.

Abstract translation: 公开了利用几何交替的横向放置的N-on-P和P-on-N砷化镓太阳能电池的太阳能电池阵列。 通过将相邻的太阳能电池彼此相互接触并消除顶表面上的总线连接来实现阵列效率的提高。 这是通过为太阳能电池提供横向横截面构型的平行四边形，其中N-on-P太阳能电池在一个横向方向上倾斜并且P-on-N太阳能电池以相反方向倾斜。 相邻的接触太阳能电池的顶表面通过跨越顶表面延伸连接器格栅电连接。 带状连接器用于连接相邻太阳能电池的基座。

公开(公告)号：EP0288543B1

公开(公告)日：1992-11-19

申请号：EP87907641.2

申请日：1987-10-15

Applicant: Hughes Aircraft Company

Inventor： ELLION, M., Edmund ,  WOLFF, George

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/0693 ,  B64G1/443 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0504 ,  H02S40/36 ,  Y02E10/544

Abstract: A solar cell array (48) utilizing geometrically alternating, laterally disposed N-on-P and P-on-N gallium arsenide solar cells (26, 70). Improved array efficiency is achieved by placing adjacent solar cells in substantial contact with each other and eliminating bus connections (46) on the top surfaces. This is accomplished by providing the solar cells with a lateral cross-sectional configuration of a parallelogram with the N-on-P solar cells (26) slanted in one lateral direction and the P-on-N solar cells (10) slanted in the opposite direction. The top surfaces of adjacent, contacting solar cells are electrically connected by extending a connector grid (58) across the top surfaces. Strip connectors (60) are used to join the bases of adjacent solar cells.

Abstract translation: 公开了利用几何交替的横向放置的N-on-P和P-on-N砷化镓太阳能电池的太阳能电池阵列。 通过将相邻的太阳能电池彼此相互接触并消除顶表面上的总线连接来实现阵列效率的提高。 这是通过为太阳能电池提供横向横截面构型的平行四边形，其中N-on-P太阳能电池在一个横向方向上倾斜并且P-on-N太阳能电池以相反方向倾斜。 相邻的接触太阳能电池的顶表面通过跨越顶表面延伸连接器格栅电连接。 带状连接器用于连接相邻太阳能电池的基座。

公开(公告)号：EP0236496B1

公开(公告)日：1992-03-11

申请号：EP86906516.9

申请日：1986-09-08

Applicant: Hughes Aircraft Company

Inventor： ELLION, M., Edmund ,  WOLFF, George

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/06

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/547

Abstract: A process for fabricating layered semiconductor structures, particularly thin gallium arsenide solar cells, on reusable substrates. The structure is fabricated by depositing a selectively removable layer such as gallium aluminum arsenide onto a substrate, and then depositing a solar cell basic structure on the selectively removable layer. Preferably, the solar cell basic structure includes a layer of p-type gallium arsenide on the layer of gallium aluminum arsenide, a layer of n-type gallium arsenide on the p-type gallium arsenide, and a transparent glass cover over the n-type gallium arsenide layer. The solar cell basic structure is separated from the sustrate by selectively dissolving the gallium aluminum arsenide layer, and a new layer of gallium aluminum arsenide is epitaxially deposited upon the exposed face to form a thin, lightweight gallium arsenide solar cell. If the layer of p-type gallium arsenide is about 0.5 microns thick or less, the new layer of gallium aluminum arsenide may be omitted. The separated substrate can then be reused.

公开(公告)号：EP0236496A1

公开(公告)日：1987-09-16

申请号：EP86906516.0

申请日：1986-09-08

Applicant: Hughes Aircraft Company

Inventor： ELLION, M., Edmund ,  WOLFF, George

IPC: H01L21 ,  H01L31

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/547

Abstract: Un procédé permet de fabriquer des structures semiconductrices à plusieurs couches, en particulier de minces cellules solaires en arséniure de gallium, sur des substrats réutilisables. On fabrique la structure en déposant sur un substrat une couche sélectivement éliminable, telle que de l'arséniure d'aluminium de gallium, puis en déposant la structure de base d'une cellule solaire sur la couche sélectivement éliminable. De préférence, la structure de base de la cellule solaire comprend une couche d'arséniure de gallium de type p sur la couche d'arséniure d'aluminium de gallium, une couche d'arséniure de gallium de type n sur l'arséniure de gallium de type p et une couverture en verre transparent sur la couche d'arséniure de gallium de type n. On sépare la structure de base de la cellule solaire du substrat en dissolvant sélectivement la couche d'arséniure d'aluminium de gallium et en déposant par épitaxie une nouvelle couche d'arseniure d'aluminium de gallium sur la face exposée de manière à former une cellule solaire mince et légère en arséniure de gallium. Si la couche d'arséniure de gallium de type pa une épaisseur égale ou inférieure à 0,5 microns environ, on peut omettre la nouvelle couche d'arséniure d'aluminium de gallium, et réutiliser le substrat séparé.

公开(公告)号：EP0236447A1

公开(公告)日：1987-09-16

申请号：EP86905633.0

申请日：1986-09-08

Applicant: Hughes Aircraft Company

Inventor： ELLION, M., Edmund ,  WOLFF, George

IPC: H01L31

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/05 ,  Y02E10/547

Abstract: Sont décrits une cellule solaire à l'arséniure de gallium du type N-sur-P, ainsi que des réseaux de cellules solaires incorporant de telles cellules solaires à l'arséniure de gallium de type N-sur-P. Dans la cellule solaire à l'arséniure de gallium de type N-sur-P, l'arséniure de gallium de type n fait face au soleil. Les réseaux de cellules solaires utilisent des cellules solaires N-sur-P et des cellules solaires P-sur-N disposées latéralement et en alternance géométrique. Des connexions électriques en série entre des cellules solaires adjacentes dans le réseau sont effectuées en connectant les faces inférieures d'une première et d'une seconde cellule solaire, les faces supérieures de la seconde et d'une troisième cellule solaire, ainsi de suite suivant une configuration alternée. Les connexions entre les faces supérieures peuvent être éliminées entièrement en plaçant des paires de cellules solaires N-sur-P et P-sur-N en contact latéral pour former un module, en étendant une grille de connexion sur la surface supérieure du module, et en utilisant des connecteurs à bande pour joindre les bases de modules adjacents.