公开(公告)号：DE112018004654T5

公开(公告)日：2020-06-10

申请号：DE112018004654

申请日：2018-11-15

Applicant: IBM

Inventor： DE SILVA EKMINI ANUJA ,  ARCEO DE LA PENA ABRAHAM ,  FELIX NELSON

IPC: H01L21/265

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verbesserung der Oberfläche einer amorphen Siliciumhartmaske durch Implantation nichtpolarer, hydrophober Elemente, um eine erhöhte Hydrophobie und erhöhte Resisthaftung der amorphen Siliciumoberfläche zu ergeben. Bei der Erfindung kann das Implantieren der hydrophoben Elemente ein Einführen der hydrophoben Elemente in die Oberfläche des amorphen Siliciums durch Niederenergieimplantation und Plasmabehandlung einbeziehen. Das implantierte hydrophobe Element kann Bor, Xenon, Fluor, Phosphor, eine Kombination davon oder andere hydrophobe Elemente sein. Bei der Erfindung wird die Oberfläche des amorphen Siliciums durch 10 bis 15 % an hydrophobem Element verbessert, bei anderen Ausführungsformen kann diese Zusammensetzung aber wie benötigt angepasst werden. In jedem Fall bewahrt das beschriebene Verfahren eine Volumen-Ätzselektivität der amorphen Siliciumhartmaske.