公开(公告)号：DE112012003186T5

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：DE112012003186

申请日：2012-09-10

Applicant: IBM

Inventor： HUANG QIANG ,  BAKER-O'NEAL BRETT

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224

Abstract: Es wird eine photovoltaische Einheit, wie beispielsweise eine Solarzelle, mit einer verbesserten Leistungsfähigkeit bereitgestellt. Die photovoltaische Einheit beinhaltet eine Kupfer enthaltende Schicht, die eine Menge an Fremdstoffen darin enthält, die ausreichend ist, um die Diffusion von Kupfer in ein darunter liegendes Halbleitersubstrat hinein zu erschweren. Die Kupfer enthaltende Schicht, die sich innerhalb eines Gittermusters befindet, das auf einer Oberfläche einer Vorderseite eines Halbleitersubstrats ausgebildet ist, beinhaltet ein elektroplattiertes, Kupfer enthaltendes Material mit einem Gehalt an Fremdstoffen von 200 ppm oder mehr, das sich oben auf wenigstens einer Metalldiffusionsbarrierenschicht befindet.