公开(公告)号：DE112012002962T5

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：DE112012002962

申请日：2012-04-12

Applicant: IBM

Inventor： FISHER KATHRYN C ,  HUANG QIANG ,  PAPA RAO SATYAVOLU S ,  YEH MING-LING

IPC: H01L31/00

Abstract: Es wird eine photovoltaische Einheit bereitgestellt, die ein Halbleitersubstrat beinhaltet, das einen pn-Übergang mit einem p-leitenden Halbleiteranteil und einem n-leitenden Halbleiteranteil übereinander beinhaltet. Auf einer p-leitenden Halbleiteroberfläche des Halbleitersubstrats befindet sich eine Vielzahl strukturierter Antireflexbeschichtungsschichten, wobei wenigstens ein Anteil der p-leitenden Halbleiteroberfläche des Halbleitersubstrats freigelegt ist. Direkt auf dem wenigstens einen Anteil der p-leitenden Halbleiteroberfläche des Halbleitersubstrats, der freigelegt ist, befindet sich Aluminium.

公开(公告)号：DE102012104048A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：DE102012104048

申请日：2012-05-09

Applicant: IBM

Inventor： FISHER KATHRYN C ,  HUANG QIANG ,  PAPA RAO SATYAVOLU S

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/283 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/103

Abstract: Es wird ein Fotoelement wie beispielsweise eine Solarzelle bereitgestellt, die eine Kupfer enthaltende metallische Gitterstruktur beinhaltet, welche als Diffusionsbarriere eine Metall-Phosphor-Schicht enthält. Die Kupfer enthaltende metallische Gitterstruktur beinhaltet, von unten nach oben, eine galvanisch abgeschiedene Metall-Phosphor-Schicht, die weder Kupfer noch eine Kupferlegierung beinhaltet und innerhalb eines auf einer Vorderfläche eines Halbleitersubstrats gebildeten Gitterstruktur angeordnet ist, und eine galvanisch abgeschiedene Kupfer enthaltende Schicht. Ferner wird auch ein Verfahren zum Bilden einer solchen Struktur bereitgestellt.