公开(公告)号：KR20100119493A

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：KR20100025813

申请日：2010-03-23

Applicant: IBM

Inventor： GAIDIS MICHAEL CHRISTOPHER

IPC: G11C11/16

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

Abstract: PURPOSE: A side coating method for a non-uniform spin momentum transfer magnetic tunnel junction current flow is provided to improve current flow through spacer materials on sidewalls by the electric conductivity between a stud and spacer materials. CONSTITUTION: A seed layer(104) is formed on an underlying patterned wiring layer(102). An anti- ferroelectric material layer(106) is formed on the seed layer. A reference layer(108) is formed on the anti- ferroelectric material layer. A magnetic tunnel junction barrier(110) is formed on the reference layer. A free layer(112) is formed on the magnetic tunnel junction barrier.

Abstract translation: 目的：提供一种用于非均匀自旋动量转移磁隧道结电流的侧涂法，以改善通过螺柱和间隔物材料之间的电导率在侧壁上的隔离材料的电流。 构成：种子层（104）形成在下面的图案化布线层（102）上。 在种子层上形成抗铁电材料层（106）。 在抗铁电材料层上形成参考层（108）。 在参考层上形成磁性隧道结屏障（110）。 在磁隧道结屏障上形成自由层（112）。

公开(公告)号：JP2007273988A

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：JP2007086288

申请日：2007-03-29

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： WONG KEITH KWONG HON ,  ARNOLD JOHN CHRISTOPHER ,  GAIDIS MICHAEL CHRISTOPHER ,  RADENS CARL JOHN ,  YANG CHIH-CHAO ,  HSU LOUIS LU-CHEN ,  DALTON TIMOTHY JOSEPH ,  CLEVENGER LAWRENCE A

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1675 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a phase change memory element connected to the edge part of a thin film electrode, and to provide a method of manufacturing the same.
SOLUTION: A phase change memory (PCM) cell structure includes a first electrode 60E, a phase change element 70E, and a second electrode 80E, wherein the phase change element 70E is inserted between the first electrode 60E and the second electrode 80E, and only an edge part 75 of the first electrode 60E is contacted with the phase change element 70E, thereby reducing a contact area between the phase change element 70E and the first electrode 60E to increase a current density flowing through the phase change element 70E and effectively cause a phase change by a first programming power by a comparatively small current.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供连接到薄膜电极的边缘部分的相变存储元件，并提供其制造方法。 解决方案：相变存储器（PCM）单元结构包括第一电极60E，相变元件70E和第二电极80E，其中相变元件70E插入在第一电极60E和第二电极80E之间 并且只有第一电极60E的边缘部分75与相变元件70E接触，从而减小相变元件70E和第一电极60E之间的接触面积，以增加流过相变元件70E的电流密度和 通过相对小的电流有效地引起第一编程功率的相位变化。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2010263204A

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：JP2010096071

申请日：2010-04-19

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： GAIDIS MICHAEL CHRISTOPHER

IPC: H01L43/12 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic tunnel junction device increased in a relative amount of current along an edge part of a device, and to provide a method for manufacturing the same.
SOLUTION: In this magnetic tunnel junction device, a magnetic tunnel junction (MTJ) stack is formed over a patterning wiring layer 402. A low-conductivity layer 416 and a conductive hard mask 418 are formed thereon. A spacer material 420 including electrical conductivity different from that of the low-conductivity layer 416 is deposited. The spacer material 420 is etched so that the spacer material remains only on sidewalls of the hard mask 418 and a stud. A etching process is executed to leave the sidewall-spacer material 416 as a conductive link between a free magnetic layer 412 and the conductive hard mask 418, around the low-conductivity layer 416. A difference in electrical conductivity between the stud and the spacer material 420 enhances current flowing along the edges of the free layer 412 and through the spacer material 420 formed on the sidewalls.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供沿着装置的边缘部分的相对电流增加的磁性隧道结装置，并提供其制造方法。 解决方案：在该磁性隧道结装置中，在图案化配线层402上形成磁隧道结（MTJ）堆叠。在其上形成低导电层416和导电硬掩模418。 沉积包括不同于低电导率层416的电导率的间隔物材料420。 间隔材料420被蚀刻，使得间隔物材料仅保留在硬掩模418和螺柱的侧壁上。 执行蚀刻处理以使侧壁间隔材料416作为在低导电层416周围的自由磁性层412和导电硬掩模418之间的导电连接。螺柱和间隔物材料之间的导电性差异 420增强沿着自由层412的边缘流动并流过形成在侧壁上的间隔物420。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE112010004347T5

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：DE112010004347

申请日：2010-11-16

Applicant: IBM

Inventor： GAIDIS MICHAEL CHRISTOPHER

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/525

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden einer Tunnelübergangs- oder TJ-Schaltung, wobei das Verfahren ein Ausbilden einer unteren Verdrahtungsschicht (308); ein Ausbilden einer Vielzahl von TJs (301), die die untere Verdrahtungsschicht kontaktieren; ein Ausbilden einer Vielzahl von Tunnelübergangs-Durchkontaktierungen oder TJVs (305) gleichzeitig mit der Ausbildung der Vielzahl von TJs, wobei die TJVs die untere Verdrahtungsschicht kontaktieren; und ein Ausbilden einer oberen Verdrahtungsschicht (310) umfasst, die die Vielzahl von TJs und die Vielzahl von TJVs kontaktiert. Eine Schaltung, die eine Vielzahl von Tunnelübergängen umfasst, weist eine untere Verdrahtungsschicht auf, die die Vielzahl von TJs kontaktiert, wobei die untere Verdrahtungsschicht des Weiteren eine Vielzahl von Tunnelübergangs-Durchkontaktierungen kontaktiert, wobei die Vielzahl von TJs und die Vielzahl von TJVs dasselbe Material umfassen; und eine obere Verdrahtungsschicht, die die Vielzahl von TJs und die Vielzahl von TJVs kontaktiert.

公开(公告)号：GB2488908B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：GB201204157

申请日：2010-11-16

Applicant: IBM

Inventor： GAIDIS MICHAEL CHRISTOPHER

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768 ,  H01L27/18 ,  H01L27/22 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

公开(公告)号：GB2488908A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：GB201204157

申请日：2010-11-16

Applicant: IBM

Inventor： GAIDIS MICHAEL CHRISTOPHER

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768 ,  H01L27/18 ,  H01L27/22 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: A method for forming a tunnel junction, or TJ, circuit, the method includes forming a bottom wiring layer (308); forming a plurality of TJs (301) contacting the bottom wiring layer; forming a plurality of tunnel junction vias, or TJVs (305), simultaneously with the formation of the plurality of TJs, the TJVs contacting the bottom wiring layer; and forming a top wiring layer (310) contacting the plurality of TJs and the plurality of TJVs. A circuit comprising a plurality of tunnel junctions includes a bottom wiring layer contacting the plurality of TJs, the bottom wiring layer further contacting a plurality of tunnel junction vias, wherein the plurality of TJs and the plurality of TJVs comprise the same material; and a top wiring layer contacting the plurality of TJs and the plurality of TJVs.