公开(公告)号：BRPI0905925B1

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：BRPI0905925

申请日：2009-01-13

Applicant: IBM

Inventor： GERD PFEIFFER ,  HANS-JUERGEN EICKELMANN ,  RAINER KLAUS KRAUSE ,  THORSTEN MUEHGE

IPC: H01L31/05 ,  H01L31/18

Abstract: método de fabricação de célula solar de silício e célula solar de silicio a invenção está relacionada a um método de fabricação de célula solar de silício, método esse compreendendo: • fornecimento de uma placa portadora (1 00), • aplicação de um primeiro padrão de contato à placa portadora (100), primeiro padrão de contato que compreende um conjunto de primeiros contatos laminares (104), • aplicação de uma multiplicidade de lâminas de silício (108) ao primeiro padrão de contato, em que cada primeiro contato laminar do conjunto de primeiros contatos laminares (104) está em contato espacial laminar com no máximo duas lâminas de silício (108),• aplicação de um segundo padrão de contato à multiplicidade de lâminas de silício (1 08), em que o segundo padrão de contato compreende um conjunto de segundos contatos laminares (200), em que cada segundo contato laminar do conjunto de segundos contatos laminares (200) está em contato espacial laminar com no máximo duas lâminas de silício (108).