Antiferromagnetische Speichereinheit

    公开(公告)号:DE112012003852T5

    公开(公告)日:2014-06-26

    申请号:DE112012003852

    申请日:2012-08-21

    Applicant: IBM

    Abstract: Eine antiferromagnetische Nanostruktur gemäß einer Ausführungsform umfasst eine Matrix von mindestens zwei antiferromagnetisch gekoppelten magnetischen Atomen, welche mindestens zwei magnetische Zustände aufweisen, die sogar bei Nichtvorliegen einer Wechselwirkung mit einer externen Struktur für mindestens eine Pikosekunde stabil sind, wobei die Matrix ein magnetisches Nettomoment von Null oder etwa Null aufweist, wobei die Matrix entlang einer längsten Dimension derselben 100 Atome oder weniger aufweist. Eine Struktur im atomaren Maßstab gemäß einer Ausführungsform weist ein magnetisches Nettomoment von Null oder etwa Null; zwei oder mehr stabile magnetische Zustände und eine Matrix von Atomen auf, welche magnetische Momente aufweist, die sich zwischen benachbarten magnetischen Atomen entlang einer oder mehreren Richtungen abwechseln. Solche Strukturen können verwendet werden, um Daten in ultrahohen Dichten zu speichern.

    Antiferromagnetic storage device
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:GB2508527A

    公开(公告)日:2014-06-04

    申请号:GB201401831

    申请日:2012-08-21

    Applicant: IBM

    Abstract: An antiferromagnetic nanostructure according to one embodiment includes an array of at least two antiferromagnetically coupled magnetic atoms having at least two magnetic states that are stable for at least one picosecond even in the absence of interaction with an external structure, the array having a net magnetic moment of zero or about zero, wherein the array has 100 atoms or less along a longest dimension thereof. An atomic-scale structure according to one embodiment has a net magnetic moment of zero or about zero; two or more stable magnetic states; and having an array of atoms that has magnetic moments that alternate between adjacent magnetic atoms along one or more directions. Such structures may be used to store data at ultra- high densities.

    Antiferromagnetic storage device
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:GB2508527B

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:GB201401831

    申请日:2012-08-21

    Applicant: IBM

    Abstract: An antiferromagnetic nanostructure according to one embodiment includes an array of at least two antiferromagnetically coupled magnetic atoms having at least two magnetic states that are stable for at least one picosecond even in the absence of interaction with an external structure, the array having a net magnetic moment of zero or about zero, wherein the array has 100 atoms or less along a longest dimension thereof. An atomic-scale structure according to one embodiment has a net magnetic moment of zero or about zero; two or more stable magnetic states; and having an array of atoms that has magnetic moments that alternate between adjacent magnetic atoms along one or more directions. Such structures may be used to store data at ultra-high densities.

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