公开(公告)号：DE112020005760T5

公开(公告)日：2022-09-08

申请号：DE112020005760

申请日：2020-10-23

Applicant: IBM

Inventor： REZNICEK ALEXANDER ,  EVARTS ERIC RAYMOND ,  MEHTA VIRAT VASAV ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN

IPC: H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01S5/026 ,  H01S5/183 ,  H01S5/343

Abstract: Eine Struktur eines löschbaren magnetoresistiven Arbeitsspeichers (MRAM) und Verfahren zur Herstellung davon, enthaltend eine MRAM-Zelle, die zwischen Bitleitungs- und Wortleitungs-Schaltungselementen angeordnet ist, und ein oberflächenemittierendes Laserelement mit vertikaler Kavität (VCSEL), das über der MRAM-Zelle angeordnet ist. Eine Laserabgabe des VCSEL ist auf die MRAM-Zelle gerichtet.

公开(公告)号：AU2020392975A1

公开(公告)日：2022-04-28

申请号：AU2020392975

申请日：2020-10-23

Applicant: IBM

Inventor： REZNICEK ALEXANDER ,  EVARTS ERIC RAYMOND ,  MEHTA VIRAT VASAV ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMAN

IPC: H01L43/12

Abstract: An erasable magnetoresistive random-access memory (MRAM) structure and a method of making the same includes an MRAM cell disposed between bit line and word line circuit elements, and a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) element disposed above the MRAM cell. A laser output of the VCSEL is directed toward the MRAM cell.