公开(公告)号：AU2020378613A1

公开(公告)日：2022-04-28

申请号：AU2020378613

申请日：2020-11-05

Applicant: IBM

Inventor： PUSHP AAKASH ,  MADON BENJAMIN ,  MUEED M A

IPC: H01L39/24 ,  C30B23/02 ,  C30B29/38 ,  H01P11/00

Abstract: A titanium (Ti) seed layer is formed from a Ti source directly on a surface of a substrate (Si) substantially free of oxide and nitride. Thereafter, a reactive nitrogen species is introduced from a nitrogen plasma source and additional Ti is introduced from the Ti source, such that the nitrogen plasma reacts with the Ti seed layer and with the additional Ti to form a TiN superconducting layer that directly contacts the surface of the substrate. The method is equally applicable to form nitrides of molybdenum, tantalum, tungsten, vanadium, or zirconium.

公开(公告)号：DE112020000171T5

公开(公告)日：2021-09-16

申请号：DE112020000171

申请日：2020-03-03

Applicant: IBM

Inventor： PUSHP AAKASH ,  NARAYANAN PRITISH

IPC: H01L29/82 ,  G06N3/00

Abstract: Eine Magnetic Double Tunnel Junction (MDTJ) (die vorzugsweise ein hohes Seitenverhältnis hat, wobei die Länge L der MDTJ » Breite w der MDTJ) hat eine magnetische Domänenwand bzw. magnetische Domänenwände (DW(s)) in der freien Schicht der MDTJ, wobei eine kontrollierte Bewegung der DW(s) in der freien Schicht als Reaktion auf die Polarität, Größenordnung und Dauer eines Spannungsimpulses an der MDTJ herbeigeführt wird. Die Bewegung und die relative Position von DW(s) bewirken, dass sich die Leitfähigkeit der MDTJ (die an der MDTJ gemessen wird) in einer symmetrischen und linearen Weise ändert. Durch Umkehren der Polarität der Vorspannung können die Erstellung und/oder die Richtung der Bewegung der DW(s) umgekehrt werden, wodurch ein bidirektionales Antwortverhalten auf den Eingangsimpuls ermöglicht wird.