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公开(公告)号：DE112018000134T5
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：DE112018000134
申请日：2018-01-03
Applicant: IBM
Inventor： GERSHON TALIA SIMCHA , BREW KEVIN WAYNE , SINGH SAURABH , NEWNS DENNIS
IPC: H01L45/00
Abstract: Eine memristive Einheit beinhaltet eine erste leitfähige Materialschicht. Eine Oxidmaterialschicht ist auf der ersten leitfähigen Schicht angeordnet. Eine zweite leitfähige Materialschicht ist auf der Oxidmaterialschicht angeordnet, wobei die zweite leitfähige Schicht eine Metall-Alkali-Legierung aufweist.
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