公开(公告)号：DE112020005255T5

公开(公告)日：2022-07-28

申请号：DE112020005255

申请日：2020-11-24

Applicant: IBM

Inventor： JABEUR KOTB ,  WORLEDGE DANIEL ,  SUN JONATHAN ,  HASHEMI POUYA

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12

Abstract: Eine magnetische Tunnelübergangs-Einheit (MTJ-Einheit) (200) enthält eine zylindrisch geformte Säulenstruktur und eine erste ferromagnetische Schicht (204), die auf mindestens einem Teil der Säulenstruktur angeordnet ist. Die erste ferromagnetische Schicht (204) weist eine Magnetisierung auf, die in Gegenwart einer angelegten Vorspannung und/oder von Wärme veränderbar ist. Die MTJ-Einheit (200) enthält ferner eine dielektrische Barriere (206), die auf mindestens einem Teil der ersten ferromagnetischen Schicht (204) angeordnet ist, und eine zweite ferromagnetische Schicht(202), die auf mindestens einem Teil der dielektrischen Barriere (206) angeordnet ist. Die zweite ferromagnetische Schicht (202) weist eine feste Magnetisierung auf. Die MTJ-Einheit (200) ist so konfiguriert, dass die erste und die zweite ferromagnetische Schicht (204, 204 )und die dielektrische Barriere (206) die Säulenstruktur konzentrisch umschließen.

公开(公告)号：AU2020405412A1

公开(公告)日：2022-05-26

申请号：AU2020405412

申请日：2020-11-24

Applicant: IBM

Inventor： JABEUR KOTB ,  WORLEDGE DANIEL ,  SUN JONATHAN ,  HASHEMI POUYA

IPC: H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08

Abstract: A magnetic tunnel junction (MTJ) device (200) includes a cylindrically-shaped pillar structure and a first ferromagnetic layer (204) disposed on at least a portion of the pillar structure. The first ferromagnetic layer (204) exhibits a magnetization that is changeable in the presence of at least one of an applied bias and heat. The MTJ device (200) further includes a dielectric barrier (206) disposed on at least a portion of the first ferromagnetic layer (204) and a second ferromagnetic layer (202) disposed on at least a portion of the dielectric barrier (206). The second ferromagnetic layer (202) exhibits a magnetization that is fixed. The MTJ device (200) is configured such that the first and second ferromagnetic layers (202, 204) and the dielectric barrier (206) concentrically surround the pillar structure.