公开(公告)号：AU2021267918A1

公开(公告)日：2022-10-27

申请号：AU2021267918

申请日：2021-04-20

Applicant: IBM

Inventor： TRIVINO NOELIA VICO ,  MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  SCHERRER MARKUS

IPC: H01L33/00

Abstract: A method for fabricating a semiconductor structure. The method comprises fabricating a photonic crystal structure (113) of a first material, in particular a first semiconductor material and selectively removing the first material within a predefined part of the photonic crystal structure (113). The method further comprises replacing the first material within the predefined part of the photonic crystal structure (113) with one or more second materials by selective epitaxy. The one or more second materials may be in particular semiconductor materials. A device is obtained by such a method.

公开(公告)号：AU2021267918B2

公开(公告)日：2024-05-02

申请号：AU2021267918

申请日：2021-04-20

Applicant: IBM

Inventor： TRIVINO NOELIA VICO ,  MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  SCHERRER MARKUS

IPC: H01L33/00

Abstract: A method for fabricating a semiconductor structure. The method comprises fabricating a photonic crystal structure (113) of a first material, in particular a first semiconductor material and selectively removing the first material within a predefined part of the photonic crystal structure (113). The method further comprises replacing the first material within the predefined part of the photonic crystal structure (113) with one or more second materials by selective epitaxy. The one or more second materials may be in particular semiconductor materials. A device is obtained by such a method.

公开(公告)号：DE112021001428T5

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：DE112021001428

申请日：2021-04-20

Applicant: IBM

Inventor： TRIVINO NOELIA VICO ,  MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  SCHERRER MARKUS

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/08 ,  H01S5/32 ,  H01S5/34

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur. Das Verfahren weist Herstellen einer photonischen Kristallstruktur (113) aus einem ersten Material, insbesondere einem ersten Halbleitermaterial, und selektives Entfernen des ersten Materials innerhalb eines vorgegebenen Teils der photonischen Kristallstruktur (113) auf. Das Verfahren weist ferner Ersetzen des ersten Materials innerhalb des vorgegebenen Teils der photonischen Kristallstruktur (113) durch ein zweites Material oder mehrere zweite Materialien durch selektive Epitaxie auf. Das eine zweite Material oder die mehreren zweiten Materialien kann bzw. können insbesondere Halbleitermaterialien sein. Durch das Verfahren wird eine Einheit erhalten.