公开(公告)号：DE112018003783T5

公开(公告)日：2020-04-23

申请号：DE112018003783

申请日：2018-09-13

Applicant: IBM ,  RWTH AACHEN

Inventor： KOELMANS WABE ,  SEBASTIAN ABU ,  JONNALAGADDA VARA ,  SALINGA MARTIN ,  KERSTING BENEDIKT

IPC: G11C11/56 ,  H10B99/00

Abstract: Die Erfindung betrifft insbesondere eine resistive Arbeitsspeichereinheit, die eine Steuereinheit zum Steuern der resistiven Arbeitsspeichereinheit und eine Mehrzahl von Arbeitsspeicherzellen aufweist. Die Mehrzahl von Arbeitsspeicherzellen enthält einen ersten Anschluss, einen zweiten Anschluss und ein Phasenänderungssegment, das ein Phasenänderungsmaterial zum Speichern von Informationen in einer Mehrzahl von Widerstandszuständen aufweist. Das Phasenänderungssegment ist zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss angeordnet. Das Phasenänderungsmaterial besteht aus Antimon. Ferner ist mindestens eine der Abmessungen des Phasenänderungssegments kleiner als 15 Nanometer. Weitere Umsetzungen der resistiven Arbeitsspeichereinheit umfassen ein zugehöriges Verfahren, eine zugehörige Steuereinheit, eine zugehörige Arbeitsspeicherzelle und ein dazugehöriges Computerprogrammprodukt.