公开(公告)号：DE102015112305A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102015112305

申请日：2015-07-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MOHAI DORIN IOAN ,  COBZARU ANDREI ,  CRISTEA ILIE-IONUT ,  FINNEY ADRIAN ,  MATEI BOGDAN-EUGEN

IPC: H01L27/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitersubstrat, das mit Dotierungsstoffen einer ersten Art dotiert ist; und einen Vertikaltransistor, der aus einer oder mehreren Transistorzellen besteht. Jede Transistorzelle weist ein erstes Gebiet, das im Substrat gebildet und mit Dotierungsstoffen einer zweiten Art dotiert ist, auf und die ersten Gebiete bilden erste pn-Übergänge mit dem umgebenden Substrat. Zumindest ein erstes Wannengebiet ist im Substrat gebildet und mit Dotierungsstoffen einer zweiten Art dotiert, um einen zweiten pn-Übergang mit dem Substrat zu bilden. Das erste Wannengebiet ist über einen Halbleiterschalter mit den ersten Gebieten des Vertikaltransistors elektrisch verbunden. Die Halbleitervorrichtung umfasst eine Erfassungsschaltung, die im Substrat integriert ist und dazu ausgestaltet ist, zu erfassen, ob die ersten pn-Übergänge in Sperrrichtung vorgespannt sind. Der Schalter wird geschlossen, wenn die pn-Übergänge in Sperrrichtung vorgespannt sind, und der Schalter wird geöffnet, wenn die ersten pn-Übergänge nicht in Sperrrichtung vorgespannt sind.