公开(公告)号：DE102006014609B4

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：DE102006014609

申请日：2006-03-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GUTH KARSTEN DR ,  MÜNZER MARK NILS

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: Halbleiterbauelementeträger (20, 30), mit:- einer Bodenplatte (2),- wenigstens einem auf der Bodenplatte (2) angeordneten Substrat, das als Träger für wenigstens ein Halbleiterbauelement dient, wobei das Substrat eine Substratunterseiten-Metallisierungsschicht (6), eine Substratschicht (3) sowie eine Substratoberseiten-Metallisierungsschicht (9) beinhaltet,- wobei zwischen dem Substrat und der Bodenplatte (2) eine Lotschicht (5) angeordnet ist, derart, dass die Lotschicht (5) zusammen mit der Substratunterseiten-Metallisierungsschicht (6) einen Schichtverbund (4) ausbildet, wobei- die lateralen Ausmaße des Schichtverbunds (4) gegenüber den lateralen Ausmaßen der Substratschicht (3) so gewählt sind, dass der Schichtverbund (4) einen über den Rand der Substratschicht (3) lateral nach außen überstehenden Schichtverbund-Randbereich (12) aufweist, und- Teile der Substratunterseiten-Metallisierungsschicht (6) innerhalb des Schichtverbund-Randbereichs (12) stoffschlüssig über Schweißverbindungen (13), welche die Lotschicht (5) durchstoßen, verbunden sind, oder die lateralen Ausdehnungen der Substratunterseiten-Metallisierungsschicht (6) zumindest teilweise größer als entsprechende laterale Ausdehnungen der Lotschicht (5) sind, wobei die relativ zur Lotschicht (5) lateral nach außen überstehenden Bereiche (14) der Substratunterseiten-Metallisierungsschicht (6) direkt auf der Bodenplatte (2) aufliegen und über die Schweißverbindungen (13) stoffschlüssig mit der Bodenplatte (2) verbunden sind.