公开(公告)号：DE112006000840B4

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE112006000840

申请日：2006-04-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEROLD KLAUS ,  KALTALIOGLU ERDEM

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung (200), mit den Schritten: Bereitstellen eines Werkstücks (202); Ausbilden einer Vielzahl von Schaltungselementen (206) innerhalb oder über dem Werkstück (202), wobei die Vielzahl von Schaltungselementen (206) ein erstes Kontaktgebiet (208) und ein zweites Kontaktgebiet (216a, 208) umfasst; und Kategorisieren eines ersten leitenden Merkmals (212a) einer Zwischenverbindungsstruktur in eine von zumindest drei Kategorien abhängig von dem Platz von einem Ende des ersten leitenden Merkmals (212a) zu einem ersten benachbarten leitenden Merkmal (212a); Kategorisieren eines zweiten leitenden Merkmals (212a) der Zwischenverbindungsstruktur in eine der zumindest drei Kategorien abhängig von dem Platz von einem Ende des zweiten leitenden Merkmals (212a) zu einem zweiten benachbarten leitenden Merkmal (212a); Ausbilden der Zwischenverbindungsstruktur über der Vielzahl von Schaltungselementen (206), wobei die Zwischenverbindungsstruktur eine Metallisierungsschicht (M1) mit dem ersten leitenden Merkmal (212a) und dem zweiten leitenden Merkmal (212a) umfasst, wobei das erste leitende Merkmal (212a) angeordnet ist...

公开(公告)号：DE602006017779D1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：DE602006017779

申请日：2006-07-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHROEDER PAUL UWE ,  HEROLD KLAUS

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/20

公开(公告)号：DE112006000840T5

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：DE112006000840

申请日：2006-04-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEROLD KLAUS ,  KALTALIOGLU ERDEM

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522