公开(公告)号：DE102020121309A1

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：DE102020121309

申请日：2020-08-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ARNOLD THORSTEN ,  THEES HANS-JÜRGEN ,  BABURSKE ROMAN ,  PHILIPPOU ALEXANDER ,  IMPERIALE ILARIA

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Leistungs-Halbleitervorrichtung (100). Die Leistungs-Halbleitervorrichtung (100) enthält eine Vielzahl erster Grabenstrukturen (102), die sich von einer ersten Hauptoberfläche (104) aus bis zu einer ersten Tiefe (d1) in einen Halbleiterkörper (106) erstrecken. Die Vielzahl erster Grabenstrukturen (102) erstreckt sich parallel entlang einer ersten lateralen Richtung (x1). Jede der Vielzahl erster Grabenstrukturen (102) enthält ein erstes Dielektrikum (1021) und eine erste Elektrode (1022). Die Leistungs-Halbleitervorrichtung enthält ferner eine Vielzahl zweiter Grabenstrukturen (108), die sich von der ersten Hauptoberfläche (104) aus bis zu einer zweiten Tiefe (d2), die geringer als die erste Tiefe (d1) ist, in den Halbleiterkörper (106) erstrecken. Die Vielzahl zweiter Grabenstrukturen (108) erstreckt sich parallel entlang einer zweiten lateralen Richtung (x2) erstreckt und schneidet die Vielzahl erster Gräben an Schnittpunktpositionen (110). Jede der Vielzahl zweiter Grabenstrukturen (108) enthält ein zweites Dielektrikum (1081) und eine zweite Elektrode (1082). Das zweite Dielektrikum (1081) ist an den Schnittpunktpositionen (110) zwischen der ersten Elektrode (1022) und der zweiten Elektrode (1082) angeordnet.