公开(公告)号：DE102014108966B4

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：DE102014108966

申请日：2014-06-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZINK ROBERT ,  KOTSAR YULIA ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren umfasst:Bilden, durch thermische Oxidation, einer einen ersten und einen zweiten Trench (191, 192) auskleidenden und eine erste Hauptoberfläche (101a) bedeckenden Felddielektrikumschicht (240), wobei der erste und der zweite Trench (191, 192) sich von der Hauptoberfläche (101a) in eine Halbleiterschicht (100a) erstrecken,Füllen des ausgekleideten ersten Trenches (191) und des ausgekleideten zweiten Trenches (192) mit einem ersten Füllmaterial (165) und selektives Rückbilden des ersten Füllmaterials (165) in dem ersten Trench (191),Implantieren eines Oxidschädigungsmaterials (412) in die Felddielektrikumschicht (240), wobei das Oxidschädigungsmaterial ein Oxidwachstum auf dem ersten Füllmaterial (165) nicht oder lediglich in einem sehr kleinen Ausmaß beeinträchtigt,Bilden einer Maske (430), die den zweiten Trench (192) bedeckt und den ersten Trench (191) freilegt,Implantieren eines Oxidationsrate-Fördermaterials (411) in einen freigelegten ersten Abschnitt (166) des rückgebildeten Füllmaterials (165) in dem ersten Trench (191), undthermisches Oxidieren des ersten Füllmaterials (165), wobei auf dem ersten Abschnitt (166) eine Oxidationsrate wenigstens zweimal so hoch ist wie auf nicht-implantierten Abschnitten des ersten Füllmaterials (165).

公开(公告)号：DE102014108966A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：DE102014108966

申请日：2014-06-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZINK ROBERT ,  KOTSAR YULIA ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein erster Trench (191) und ein zweiter Trench (192), die sich beide von einer Hauptoberfläche (101a) in eine Halbleiterschicht (100a) erstrecken, sind mit einem ersten Füllmaterial (165) gefüllt. Das erste Füllmaterial (165) wird selektiv in dem ersten Trench (191) rückgebildet. Eine Maske (410, 430) wird gebildet, die den zweiten Trench (192) bedeckt und den ersten Trench (191) freilässt. Ein Oxidationsrate-Fördermaterial (411) wird in einen freigelegten ersten Abschnitt (166) des rückgebildeten Füllmaterials (165) in dem ersten Trench (191) implantiert. Die Maske (410, 430) wird entfernt. Dann wird das erste Füllmaterial (165) thermisch oxidiert, wobei auf dem ersten Abschnitt (166) eine Oxidationsrate wenigstens zweimal so hoch wie auf nicht-implantierten Abschnitten des ersten Füllmaterials (165) ist.