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    OSCILLATOR CIRCUIT
    1.
    发明申请
    OSCILLATOR CIRCUIT 审中-公开
    振荡器电路

    公开(公告)号：WO0203539A3

    公开(公告)日：2002-05-16

    申请号：PCT/DE0102439

    申请日：2001-06-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  MOTZ MARIO

    Inventor： MOTZ MARIO

    IPC: H03K3/012 ,  H03K3/0231 ,  H03K3/354

    CPC classification number: H03K3/354 ,  H03K3/012 ,  H03K3/0231

    Abstract: Disclosed is an oscillator circuit comprising a charge storage element (C), a charging current source and a discharging current source (T2,T7). A comparator (TC) is connected to the charge storage element (C) for controlling the current sources (T2, T7) on the basis of a lower (US1) and upper (US2) comparator threshold. A delta voltage is thus formed by the charge storage element (C) according to the relaxation principle. The differential voltage drops out from both comparator thresholds by means of a first resistor (R1). Since the comparator (TC) and the lower and upper comparator thresholds (US1, US2) are formed in a common current path (TC, R1), the oscillator circuit has a particularly low current consumption.

    Abstract translation: 则表示与电荷存储（C），并且每个具有Aufintegrations-和Abintegrations电流源（T2，T7）的振荡器电路。 在所述电荷存储（C）是用于控制所述电流源（T2，T7）响应于低级（US1）和上（US2）进一步连接比较器阈值，比较器（TC）。 以这种方式，三角形电压由上面的电荷存储Relaxationsprinzip（C）构成。 通过第一电阻（R1），所述差分电压下降到两个比较阈值。 由于比较器（TC）本身以及在一个共同的电流路径（TC，R1）的下部和上部比较器阈值（US1，US2）中形成，本振荡器电路，以特别低的功率消耗。

    Magnetfeldsensorvorrichtung und Verfahren
    3.
    发明专利
    Magnetfeldsensorvorrichtung und Verfahren 未知

    公开(公告)号：DE102020110682A1

    公开(公告)日：2021-10-21

    申请号：DE102020110682

    申请日：2020-04-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MOTZ MARIO

    IPC: G01R35/00

    Abstract: Es werden Verfahren und Vorrichtungen bereitgestellt, bei denen in einer ersten Betriebsart ein Magnetfeld mittels einer Spule gemessen wird und in einer zweiten Betriebsart mittels der Spule ein Magnetfeld erzeugt wird, um einen weiteren Magnetfeldsensor zu testen.

    Sensor mit Mikrounterbrechungskompensation
    5.
    发明专利
    Sensor mit Mikrounterbrechungskompensation 未知

    公开(公告)号：DE102015112300B4

    公开(公告)日：2021-01-14

    申请号：DE102015112300

    申请日：2015-07-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MOTZ MARIO

    IPC: G01D21/00 ,  H02J9/00 ,  H02J15/00

    Abstract: Sensoreinrichtung, die Folgendes umfasst:eine Sensorkomponente, die eingerichtet ist, eine Niederspannungsversorgung zu benutzen;eine Hochspannungskomponente, die eingerichtet ist, die Niederspannungsversorgung aus einer Hochspannungsversorgung zu erzeugen; undeine Ladungsspeicherkomponente, die einen vertikalen Kondensator umfasst und eingerichtet ist, während einer Stromunterbrechung Ladung für die Niederspannungsversorgung zu liefern.

    Sensorschaltung und Erfassungsverfahren
    6.
    发明专利
    Sensorschaltung und Erfassungsverfahren 未知

    公开(公告)号：DE102017103873B4

    公开(公告)日：2020-10-22

    申请号：DE102017103873

    申请日：2017-02-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MOTZ MARIO ,  STRASSER MICHAEL

    IPC: H03M1/06 ,  G01R31/3167 ,  G01R33/07 ,  H03M1/12

    Abstract: Eine Sensorschaltung (100), umfassend:eine erste Schnittstelle , die ausgebildet ist, um ein erstes Sensorsignal (103-1) ansprechend auf eine erste Messung einer ersten physikalischen Größe zu empfangen;einen ersten Analog-zu-Digital-Wandler (106-1), der ausgebildet ist, um das erste Sensorsignal abzutasten, um ein abgetastetes, erstes Sensorsignal zu erzeugen;eine zweite Schnittstelle, die ausgebildet ist, um ein zweites Sensorsignal (103-2) ansprechend auf eine zweite Messung der gleichen ersten physikalischen Größe zu empfangen;eine dritte Schnittstelle, die ausgebildet ist, um zumindest ein drittes Sensorsignal (105) ansprechend auf zumindest eine dritte Messung von zumindest einer unterschiedlichen zweiten physikalischen Größe zu empfangen;einen Multiplexer (108), der ausgebildet ist, um das zweite und das zumindest eine dritte Sensorsignal in ein gemultiplextes Sensorsignal zu multiplexen;einen zweiten Analog-zu-Digital-Wandler (106 -2), der mit dem Multiplexer gekoppelt ist und ausgebildet ist, um das gemultiplexte Sensorsignal abzutasten, um ein abgetastetes, gemultiplextes Sensorsignal zu erzeugen;ferner umfassendeine Verzögerungsschaltung (110), die ausgebildet ist, um eine Abtastverzögerung zwischen einem Abtastintervall des ersten Analog-zu-Digital-Wandlers (106-1) und einem Abtastintervall des zweiten Analog-zu-Digital-Wandlers (106-2) zu verursachen;ein erstes digitales Filter (112-1), das ausgebildet ist, um das abgetastete erste Sensorsignal zu filtern, wobei das erste digitale Filter eine erste Filterverzögerung aufweist;ein zweites digitales Filter (112-2), das ausgebildet ist, um Abtastwerte des abgetasteten, gemultiplexten Sensorsignals zu filtern, das dem zweiten Sensorsignal zugeordnet ist, wobei das zweite digitale Filter eine zweite Filterverzögerung aufweist;wobei eine Differenz zwischen der ersten Filterverzögerung und der zweiten Filterverzögerung der Abtastverzögerung entspricht.

    HALL-SENSOR MIT VERSCHACHTELTEN UND/ODER GLEITENDENGEMITTELTEN/SUMMIERTEN SPINNING-PHASEN
    8.
    发明专利
    HALL-SENSOR MIT VERSCHACHTELTEN UND/ODER GLEITENDENGEMITTELTEN/SUMMIERTEN SPINNING-PHASEN 未知

    公开(公告)号：DE102019118389A1

    公开(公告)日：2020-01-09

    申请号：DE102019118389

    申请日：2019-07-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MOTZ MARIO

    IPC: G01R33/07

    Abstract: Verschiedene hierin erörterte Ausführungsbeispiele können Systeme oder Verfahren umfassen, die sich gegenüber bestehenden Spinning-Current-Hall-Sensorsystemen über zumindest eines von verschachtelten Spinning-Phasen oder gleitendem Mitteln/Summieren verbessern können. Ein beispielhaftes Ausführungsbeispiel kann ein Sensorsystem umfassen, das M (eine positive ganze Zahl) Spinning-Current-Hall-Sensoren umfasst, von denen jeder N (eine ganze Zahl größer als eins) unterschiedliche Spinning-Phasen aufweist, während derer er Sensordaten erwerben kann, und einen Multiplexer, der Sensordaten der Sensoren gemäß einer M×N Spinning-Phase-Sensorsequenz auswählen kann. Die M×N unterschiedlichen Spinning-Phasen der Sensorsequenz können verschachtelt sein, wobei der Mittelwert im Zeitbereich der N Spinning-Phasen für jeden Sensor gleich ist. Für jeden der M Sensoren kann eine Summe und/oder ein Mittelwert für eine oder mehrere jüngste Darstellungen von Sensordaten von diesem Sensor bestimmt werden.

    Hall-Effekt-Bauelement, Betriebsverfahren hierfür und Magnetfelderfassungsverfahren
    9.
    发明专利
    Hall-Effekt-Bauelement, Betriebsverfahren hierfür und Magnetfelderfassungsverfahren 未知

    公开(公告)号：DE102009061277B3

    公开(公告)日：2019-08-01

    申请号：DE102009061277

    申请日：2009-04-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： AUSSERLECHNER UDO ,  MOTZ MARIO

    IPC: H01L43/06 ,  G01R33/07

    Abstract: Halbleiterbauelement, das folgende Merkmale aufweist:ein erstes und ein zweites Hall-Effekt-Bauelement (100a, 100b), die folgende Merkmale aufweisen:ein Substrat (110) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp;eine Epitaxialschicht (112) mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die Hall-Effekt-Abschnitte (112) definiert;eine leitfähige, vergrabene Schicht (114) mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp, die zwischen der Epitaxialschicht (112) und dem Substrat (110) positioniert ist; und jeweilseinen ersten (131), zweiten (132), dritten (133) und vierten (134) Anschluss,wobei der zweite Anschluss (132) mit der leitfähigen, vergrabenen Schicht (114) gekoppelt ist, undwobei der dritte Anschluss (133) auf einer Seite des ersten Anschlusses (131) und der vierte (134) Anschluss auf der anderen Seite des ersten Anschlusses (131) positioniert ist;wobei das erste und das zweite Hall-Effekt-Bauelement (100a, 100b) derart zueinander ausgerichtet sind, dass sie unterschiedlich auf mechanische Belastung reagieren, wobei die Anschlüsse des ersten Hall-Effekt-Bauelements (100a) entlang einer ersten Richtung angeordnet sind und die Anschlüsse des zweiten Hall-Effekt-Bauelements (100b) entlang einer zweiten Richtung angeordnet sind,wobei der erste Anschluss (131) des ersten Hall-Effekt-Bauelements (100a) mit dem ersten Anschluss (131) des zweiten Hall-Effekt-Bauelements (100b) verbunden ist,wobei der zweite Anschluss (132) des ersten Hall-Effekt-Bauelements (100a) mit dem zweiten Anschluss (132) des zweiten Hall-Effekt-Bauelements (100b) verbunden ist, undwobei einer des dritten und des vierten Anschlusses (133, 134) des ersten Hall-Effekt-Bauelements (100a) mit einem des dritten und des vierten Anschlusses (133, 134) des zweiten Hall-Effekt-Bauelements (100b) gekoppelt ist, und wobei der andere des dritten und des vierten Anschlusses (133, 134) des ersten Hall-Effekt-Bauelements (100a) mit dem anderen des dritten und des vierten Anschlusses (133, 134) des zweiten Hall-Effekt-Bauelements (100b) gekoppelt ist.

    Chopper-Verstärker
    10.
    发明专利
    Chopper-Verstärker 未知

    公开(公告)号：DE102013112700B4

    公开(公告)日：2019-05-23

    申请号：DE102013112700

    申请日：2013-11-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MADERBACHER GERHARD ,  MOTZ MARIO

    IPC: H03F3/38

    Abstract: Vorrichtung, umfassend:eine Chopper-Verstärkeranordnung (20; 43) umfassend einen Modulator (10, 31, 44), einen Verstärker (11, 32, 45) und einen Demodulator (11, 34, 36),einen Welligkeitendetektor (13), um durch die Chopper-Verstärkeranordnung (20; 43) verursachte Welligkeiten zu detektieren und um einen Spannungsversatz (33) des Verstärkers (11, 32, 45) basierend auf den detektierten Welligkeiten einzustellen, undeine Bandlückenschaltung (30; 40), wobei ein Eingang der Bandlückenschaltung (30; 40) mit einem Ausgang des Demodulators (11, 34, 36) verbunden ist und ein Ausgang der Bandlückenschaltung (30; 40) mit einem Eingang des Modulators gekoppelt ist,wobei der Welligkeitendetektor (13) eingerichtet ist, Welligkeiten durch Auswertung eines Ausgangssignals der Bandlückenschaltung (30; 40) zu detektieren.

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