公开(公告)号：DE102022114798A1

公开(公告)日：2022-12-22

申请号：DE102022114798

申请日：2022-06-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FLAIBANI MARCO ,  SLOTEN WINAND VAN ,  BIANCO DAVIDE DAL ,  LOCCIA GIUSEPPE ,  PIERETTI TOMMASO

IPC: H02M3/156 ,  H02M1/08

Abstract: Bei einigen Beispielen enthält eine Einrichtung zum Steuern eines Transistors in einem Leistungswandlersystem eine erste Schaltung, die dazu ausgebildet ist, einen Fehlerstrom basierend auf einer Differenz zwischen einem Referenzsignal und einem Rückkopplungssignal zu erzeugen, wobei das Rückkopplungssignal von einer Ausgangsspannung des Leistungswandlersystems abhängt. Die Einrichtung enthält auch einen Frequenzgenerator, der dazu ausgebildet ist, ein Aktivierungssignal basierend auf der Differenz zwischen dem Referenzsignal und dem Rückkopplungssignal zu erzeugen. Die Einrichtung enthält weiterhin eine Sockelschaltung, die dazu ausgebildet ist, einen Spitzenstrom-Schwellenwert für den Transistor basierend auf einem Offset-Wert zu definieren. Die Einrichtung enthält auch eine Logikschaltung, die dazu ausgebildet ist, den Transistor basierend auf dem Aktivierungssignal zu aktivieren und den Transistor zu deaktivieren, wenn ein Stromerfassungssignal den definierten Spitzenstrom-Schwellenwert erreicht, wobei das Stromerfassungssignal einen von dem Transistor geleiteten Leistungsstrom repräsentiert.