公开(公告)号：DE102022117506A1

公开(公告)日：2023-02-02

申请号：DE102022117506

申请日：2022-07-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ROY SAURABH ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  AICHINGER THOMAS

IPC: H01L23/62 ,  H01L29/51 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (100) enthält ein SiC-Substrat (102) und eine Vielzahl von Transistorzellen (104), die im SiC-Substrat (102) ausgebildet und elektrisch parallel geschaltet sind, um einen Transistor zu bilden. Jede Transistorzelle (104) enthält eine Gate-Struktur (110), die eine Gate-Elektrode (112) und einen dielektrischen Gate-Stapel (114) umfasst, der die Gate-Elektrode (112) vom SiC-Substrat (102) trennt. Der dielektrische Gate-Stapel (104) enthält einen ferroelektrischen Isolator (116). Der Transistor weist einen spezifizierten Betriebstemperaturbereich auf, und der ferroelektrische Isolator (116) ist mit einem Dotierungsmaterial so dotiert, dass die Curie-Temperatur des ferroelektrischen Isolators (116) in einem Bereich oberhalb des spezifizierten Betriebstemperaturbereichs des Transistors liegt. Ein entsprechendes Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung (100) wird ebenfalls beschrieben.