公开(公告)号：DE102018111939B4

公开(公告)日：2019-12-05

申请号：DE102018111939

申请日：2018-05-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SEIFERT MAX CHRISTIAN ,  STOIB BENEDIKT

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Es wird ein Leistungshalbleiterbauelement (1) vorgestellt. Das Leistungshalbleiterbauelement umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1), die mit einer ersten Lastanschlussstruktur (11) gekoppelt ist, und einer Rückseite (10-2), die mit einer zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist; eine Vorderseitenstruktur (14), die an der Vorderseite (10-1) angeordnet ist und zumindest teilweise in dem Halbleiterkörper (10) enthalten ist, wobei die Vorderseitenstruktur (14) ein aktives Vorderseitengebiet (15) definiert, das zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) in einem leitenden Zustand des Leistungshalbleiterbauelements (1) konfiguriert ist, wobei die Vorderseitenstruktur (14) einen ersten lateralen Randabschnitt (14-1), einen zweiten lateralen Randabschnitt (14-2) und einen ersten Eckabschnitt (14-7), der einen Übergang zwischen dem ersten lateralen Randabschnitt (14-1) und dem zweiten lateralen Randabschnitt (14-2) bildet, aufweist; ein Drift-Gebiet (100) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, das in dem Halbleiterkörper (10) enthalten ist und zum Führen des Laststroms konfiguriert ist; und ein Rückseitenemittergebiet (103), das in dem Halbleiterkörper (10) in Kontakt mit dem zweiten Lastanschluss (12) angeordnet ist, wobei das Rückseitenemittergebiet (103) eine Nettodotierstoffkonzentration hat, die höher als eine Nettodotierstoffkonzentration des Drift-Gebiets (100) ist. Das Rückseitenemittergebiet (103) schließt in einer vertikalen Projektion in einem ersten Abstand (d1) von dem ersten lateralen Randabschnitt (14-1) und/oder dem zweiten lateralen Randabschnitt (14-2) und in einem zweiten Abstand (d2) von dem ersten Eckabschnitt (14-7)

公开(公告)号：DE102018111939A1

公开(公告)日：2019-11-21

申请号：DE102018111939

申请日：2018-05-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SEIFERT MAX CHRISTIAN ,  STOIB BENEDIKT

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: Es wird ein Leistungshalbleiterbauelement (1) vorgestellt. Das Leistungshalbleiterbauelement umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (10-1), die mit einer ersten Lastanschlussstruktur (11) gekoppelt ist, und einer Rückseite (10-2), die mit einer zweiten Lastanschlussstruktur (12) gekoppelt ist; eine Vorderseitenstruktur (14), die an der Vorderseite (10-1) angeordnet ist und zumindest teilweise in dem Halbleiterkörper (10) enthalten ist, wobei die Vorderseitenstruktur (14) ein aktives Vorderseitengebiet (15) definiert, das zum Leiten eines Laststroms zwischen der ersten Lastanschlussstruktur (11) und der zweiten Lastanschlussstruktur (12) in einem leitenden Zustand des Leistungshalbleiterbauelements (1) konfiguriert ist, wobei die Vorderseitenstruktur (14) einen ersten lateralen Randabschnitt (14-1), einen zweiten lateralen Randabschnitt (14-2) und einen ersten Eckabschnitt (14-7), der einen Übergang zwischen dem ersten lateralen Randabschnitt (14-1) und dem zweiten lateralen Randabschnitt (14-2) bildet, aufweist; ein Drift-Gebiet (100) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, das in dem Halbleiterkörper (10) enthalten ist und zum Führen des Laststroms konfiguriert ist; und ein Rückseitenemittergebiet (103), das in dem Halbleiterkörper (10) in Kontakt mit dem zweiten Lastanschluss (12) angeordnet ist, wobei das Rückseitenemittergebiet (103) eine Nettodotierstoffkonzentration hat, die höher als eine Nettodotierstoffkonzentration des Drift-Gebiets (100) ist. Das Rückseitenemittergebiet (103) schließt in einer vertikalen Projektion in einem ersten Abstand (d1) von dem ersten lateralen Randabschnitt (14-1) und/oder dem zweiten lateralen Randabschnitt (14-2) und in einem zweiten Abstand (d2) von dem ersten Eckabschnitt (14-7)