公开(公告)号：DE102018128097A1

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：DE102018128097

申请日：2018-11-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS MANUEL ,  MÜNZER MARK NILS ,  STALLMEISTER MARCO

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/58 ,  H01L23/051

Abstract: Ein Halbleiterleistungsmodul umfasst eine elektrisch leitfähige Trägerplatte, einen auf der Trägerplatte angeordneten und mit dieser elektrisch verbundenen Leistungshalbleiterchip und einen Kontaktstift, welcher elektrisch mit der Trägerplatte verbunden ist und einen Außenkontakt des Halbleiterleistungsmoduls bildet, wobei der Kontaktstift über einer Lotstelle angeordnet ist, die dazu ausgebildet ist, den Kontaktstift mechanisch direkt oder indirekt auf der Trägerplatte zu fixieren und elektrisch mit der Trägerplatte zu verbinden und wobei der Kontaktstift über eine weitere Verbindung elektrisch mit der Trägerplatte verbunden ist, wobei die weitere Verbindung einen gegenüber der Trägerplatte mechanisch flexiblen Anteil aufweist.

公开(公告)号：DE102018128097B4

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：DE102018128097

申请日：2018-11-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： REITER TOMAS MANUEL ,  MÜNZER MARK NILS ,  STALLMEISTER MARCO

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/58 ,  H01L23/051

Abstract: Halbleiterleistungsmodul (100, 200), umfassend:eine elektrisch leitfähige Trägerplatte (101),einen auf der Trägerplatte (101) angeordneten und mit dieser elektrisch verbundenen Leistungshalbleiterchip (102), undeinen steifen Kontaktstift (103, 203), welcher elektrisch mit der Trägerplatte (101) verbunden ist und einen Außenkontakt des Halbleiterleistungsmoduls (100, 200) bildet,wobei der Kontaktstift (103, 203) über einer Lotstelle (104) angeordnet ist, die dazu ausgebildet ist, den Kontaktstift (103, 203) mechanisch direkt oder indirekt auf der Trägerplatte (101) zu fixieren und elektrisch über die Trägerplatte (101) mit dem Leistungshalbleiterchip (102) oder einem Sensor in dem Halbleiterleistungsmodul (100, 200) zu verbinden, undwobei der Kontaktstift (103 ,203) über eine parallel geschaltete weitere Verbindung (105) elektrisch über die Trägerplatte (101) mit dem Leistungshalbleiterchip (102) oder dem Sensor verbunden ist, wobei die weitere Verbindung (105) einen gegenüber der Trägerplatte mechanisch flexiblen Anteil (106) aufweist.